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GaN Epitaxial Wafer

• el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI
• El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm
• Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas
• Avión de la oblea de semiconductor del nitruro del galio 325um 375um C

Oblea sic epitaxial

• Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um
• 6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um
• borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um
• Tipo 6inch 4H del SI del nivel P sic semi que aísla el substrato 150m m

Oblea Epi GaAs

• Oblea Epi de GaAs de 2 pulgadas Sustratos no dopados de GaAs VGF
• S-C-N Conducto Sustratos no dopados de GaAs de 2 pulgadas Alta movilidad de electrones
• oblea sin impurificar 0.4E18 del GaAs Epi de los substratos de 2inch GaAs a 1E18
• Dopante sin impurificar de los substratos 2inch GaAs Si de VGF GaAs

Sustratos de diamante CVD

• Sustratos de diamante CVD de grado electrónico Constante dieléctrica 5.5
• Diamante monocristalino de grado electrónico XRD
• 3 contenido de N del CVD Diamond Substrates de X 3mm2 < 100ppb para el disipador de calor
• Oblea monocristalina de grado electrónico N Content

Sistema de recocido térmico rápido

• Procesamiento térmico rápido para aumentar la producción Sistema de recocido RTP-SA-8
• sistema de recocido termal rápido de 150m m con tres gases de proceso de los sistemas

Probador de sensores de efecto Hall

• Medida de la resistencia de la movilidad del probador de Hall Coefficient Hall Effect Sensor
• Industria de Hall Effect Sensor Tester Semiconductor de la concentración de portador
• Medida de la concentración de Hall Effect Sensor Tester Carrier de los materiales del semiconductor

Oblea del nitruro de aluminio

• 1" pulido químico del grado de la oblea 400um S/P/R del nitruro de aluminio de AlN
• solo cristal 400um 2H Crystal Form de 25.4m m 1inch AlN
• 1inch AlN solo Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um
• Plano C AIN en oblea de zafiro pulido de lado simple o doble

Microprocesador del diodo láser

• Eficiencia 1.0W/A de pendiente de impresión láser de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A
• Chip láser de diodo COS de 915 nm y 10 W en diseño de submontaje
• paquete de Chip Printing Surface Mount Standard del diodo láser 915nm
• Microprocesador del laser del diodo del tamaño 94um del emisor en la corriente 0.5A del umbral del diseño del submontaje

Cristal del carburo de silicio

• Cristal plano primario 4" del carburo de silicio de la longitud 32.5m m grado 100.0m m de P
• 4H Politype solo Crystal Silicon Carbide 4" cara del Si del grado de P
• 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm Cristal de carburo de silicio tipo N
• cristal 4" del carburo de silicio de 100.0m m grado 18.0m m de P

Oblea Ga2O3

• Oblea solo Crystal Substrate Thickness de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6m m a 0.8m m
• Grueso monocristalino de sustrato de Ga2O3 pulido de un solo lado 0,6 mm 0,8 mm
• oblea Ga2O3 10x15m m de 10x10m m solo Crystal Substrate
• Solo doping del UID de Crystal Gallium Oxide Substrate del semiconductor

oblea de silicio

• Dopante de boro tipo P de oblea de silicio de 0,001-100 ohm-cm
• Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada
• 2" primero μm estándar <10 Capabilities<5um máximo de la oblea de silicio
• Sustrato primario de oblea epitaxial de silicio microelectrónico 279um

Sapphire Wafer

• el espejo de 50m m Sapphire Wafer R9 pulió el tipo listo del borde R de la oblea de EPI
• Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
• Un plano Orientación de la superficie Zafiro Wafer Pulido de espejo Listo para EPI
• Oblea de sustrato de zafiro Al2O3 de alta pureza de 50 mm Thk 430 μm

Sapphire Substrates modelada

• Ángulo de borde plano Sustratos de zafiro estampado de 16 mm Superficie frontal
• Sapphire Crystal Wafer modelada 2inch Sapphire Substrate
• Sustratos de zafiro estampado de 50,80 mm 430 um plano A
• Substrato de zafiro PSS estampado con láser posterior TTV 5um

Tenedor de la oblea del

• Titular de oblea de teflón de 6 pulgadas Limpieza de cestas y manijas de flores

Cortadora de obleas

• 0.1mm/s a la máquina de corte en cuadritos X AXIS de la oblea 600mm/s que corta la gama 260m m
• Máquina cortadora de obleas de silicio Sierra cortadora automática de 260 mm
• Cortadora automática de obleas 8 pulgadas 250 mm × 250 mm 300 mm
• Máquina para cortar en cubitos de obleas de 8 pulgadas Rango de corte de eje X 260 mm 1.8 KW 2.2 KW