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Sustrato primario de oblea epitaxial de silicio microelectrónico 279um

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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Sustrato primario de oblea epitaxial de silicio microelectrónico 279um

Sustrato primario de oblea epitaxial de silicio microelectrónico 279um
Sustrato primario de oblea epitaxial de silicio microelectrónico 279um

Ampliación de imagen :  Sustrato primario de oblea epitaxial de silicio microelectrónico 279um

Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDCD06-001-002
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 50000pcs/month

Sustrato primario de oblea epitaxial de silicio microelectrónico 279um

descripción
Grado: Primero Método del crecimiento: CZ
Tipo/dopante: Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb Espesor (μm): 279
Tolerancia del grueso: ± estándar los 25μm, ± máximo los 5μm de las capacidades resistencia: 0.001-100 ohmio-cm
Superficial acabado: P/E, P/P, E/E, G/G TTV (μm): <10μm estándar, Capabilities<5μm máximo
Resaltar:

Oblea epitaxial de silicio microelectrónico

,

oblea epitaxial de silicio tipo N

,

oblea epitaxial de silicio 279um

Espesor (μm) 279 Oblea de silicio TTV (μm) Estándar <10 um, capacidades máximas <5 μmetro

Dispositivos MEMS de oblea de silicio de 2 pulgadas, circuitos integrados, sustratos dedicados para dispositivos discretos

 


Descripción general

Las obleas de silicio (Si) son materiales de sustrato primarios en el área microelectrónica y microelectromecánica debido a sus propiedades superiores, que se pueden ajustar.En este capítulo, primero proporcionamos una descripción general de las técnicas de mecanizado por descarga eléctrica.Además, también se analizan los resultados de capacidad y rendimiento de las técnicas de mecanizado por descarga eléctrica para el mecanizado de cavidades tridimensionales en Si con ajustes de parámetros óptimos.

 

 

Especificación

oblea de silicio

Diámetro

 

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Calificación Principal
Crecimiento Método CZ
Orientación <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/Dopante Tipo P/Boro, Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb
Espesor (μm) 279/380/525/625/675/725/775
Espesor Tolerancia Estándar ± 25 μm, capacidades máximas ± 5 μm
Resistividad 0.001-100 ohm-cm
Superficie Finalizado P/E,P/P,E/E,G/G
TTV (μm) Estándar <10 μm, capacidades máximas <5 μm
Arco/urdimbre Estándar <40 μm, capacidades máximas <20 μm
Partícula <10 a 0,5 μm;<10 a 0,3 μm;<10 a 0,2 μm;

 

 

 

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

 

 

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de la cantidad.
P: ¿Proporcionan muestras?¿Es gratis o extra?
Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
P: ¿Cuáles son sus condiciones de pago?
Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

 

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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