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Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada

Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada
Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada

Ampliación de imagen :  Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada

Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDCD06-001-002
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 50000pcs/month

Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada

descripción
Método del crecimiento: CZ Diámetro: 2"
Grado: Primero Orientación: <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Espesor (μm): 279 Tolerancia del grueso: ± estándar los 25μm, ± máximo los 5μm de las capacidades
resistencia: 0.001-100 ohmio-cm Superficial acabado: P/E, P/P, E/E, G/G
Resaltar:

Substratos discretos del si de los dispositivos

,

substrato del si 100

,

substratos del si P/E

Oblea de silicio de 2 pulgadas de los dispositivos discretos P/E, P/P, E/E, superficial de G/G acabado

dispositivos de 2 pulgadas de la oblea de silicio MEMS, circuitos integrados, substratos dedicados para los dispositivos discretos


Descripción

El silicio es el segundo elemento común en la tierra y es el séptimo-más elemento común en el universo entero. Es el semiconductor más común y el más ampliamente utilizado del sector electrónico y de tecnología.

Durante proceso del crecimiento las adiciones intencionales de dopantes se pueden añadir a para cambiar la pureza del silicio dependiendo de cuáles será el propósito de él. Estas impurezas introducidas pueden cambiar las propiedades eléctricas del silicio, que puede ser útil dependiendo para de lo que se está produciendo el silicio en última instancia.

Especificación

oblea de silicio

Diámetro

2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Grado Primero
Método del crecimiento CZ
Orientación <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/dopante Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Grueso (μm) 279/380/525/625/675/725/775
Tolerancia del grueso ± estándar los 25μm, ± máximo los 5μm de Capabilit/IES
Resistencia 0.001-100 ohmio-cm
Superficial acabado P/E, P/P, E/E, G/G
TTV (μm) Estándar <10>
Arco/deformación Estándar <40>
Partícula <10>

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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