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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

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Sustratos de diamante CVD

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GaN Epitaxial Wafer (65)
Buen precio el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI en línea
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Buen precio El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm en línea
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Buen precio Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas en línea
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Buen precio Avión de la oblea de semiconductor del nitruro del galio 325um 375um C en línea
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Oblea sic epitaxial (39)
Buen precio Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um en línea
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Buen precio 6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um en línea
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Buen precio borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um en línea
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Buen precio Tipo 6inch 4H del SI del nivel P sic semi que aísla el substrato 150m m en línea
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Oblea Epi GaAs (15)
Buen precio Oblea Epi de GaAs de 2 pulgadas Sustratos no dopados de GaAs VGF en línea
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Buen precio S-C-N Conducto Sustratos no dopados de GaAs de 2 pulgadas Alta movilidad de electrones en línea
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Buen precio oblea sin impurificar 0.4E18 del GaAs Epi de los substratos de 2inch GaAs a 1E18 en línea
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Buen precio Dopante sin impurificar de los substratos 2inch GaAs Si de VGF GaAs en línea
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Sustratos de diamante CVD (15)
Buen precio Sustratos de diamante CVD de grado electrónico Constante dieléctrica 5.5 en línea
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Buen precio Diamante monocristalino de grado electrónico XRD en línea
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Buen precio 3 contenido de N del CVD Diamond Substrates de X 3mm2 < 100ppb para el disipador de calor en línea
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Buen precio Oblea monocristalina de grado electrónico N Content en línea
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Sistema de recocido térmico rápido (2)
Buen precio Procesamiento térmico rápido para aumentar la producción Sistema de recocido RTP-SA-8 en línea
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Buen precio sistema de recocido termal rápido de 150m m con tres gases de proceso de los sistemas en línea
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Probador de sensores de efecto Hall (3)
Buen precio Medida de la resistencia de la movilidad del probador de Hall Coefficient Hall Effect Sensor en línea
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Buen precio Industria de Hall Effect Sensor Tester Semiconductor de la concentración de portador en línea
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Buen precio Medida de la concentración de Hall Effect Sensor Tester Carrier de los materiales del semiconductor en línea
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Oblea del nitruro de aluminio (21)
Buen precio 1" pulido químico del grado de la oblea 400um S/P/R del nitruro de aluminio de AlN en línea
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Buen precio solo cristal 400um 2H Crystal Form de 25.4m m 1inch AlN en línea
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Buen precio 1inch AlN solo Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um en línea
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Buen precio Plano C AIN en oblea de zafiro pulido de lado simple o doble en línea
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Microprocesador del diodo láser (10)
Buen precio Eficiencia 1.0W/A de pendiente de impresión láser de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A en línea
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Buen precio Chip láser de diodo COS de 915 nm y 10 W en diseño de submontaje en línea
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Buen precio paquete de Chip Printing Surface Mount Standard del diodo láser 915nm en línea
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Buen precio Microprocesador del laser del diodo del tamaño 94um del emisor en la corriente 0.5A del umbral del diseño del submontaje en línea
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Cristal del carburo de silicio (12)
Buen precio Cristal plano primario 4" del carburo de silicio de la longitud 32.5m m grado 100.0m m de P en línea
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Buen precio 4H Politype solo Crystal Silicon Carbide 4" cara del Si del grado de P en línea
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Buen precio 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm Cristal de carburo de silicio tipo N en línea
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Buen precio cristal 4" del carburo de silicio de 100.0m m grado 18.0m m de P en línea
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Oblea Ga2O3 (13)
Buen precio Oblea solo Crystal Substrate Thickness de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6m m a 0.8m m en línea
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Buen precio Grueso monocristalino de sustrato de Ga2O3 pulido de un solo lado 0,6 mm 0,8 mm en línea
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Buen precio oblea Ga2O3 10x15m m de 10x10m m solo Crystal Substrate en línea
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Buen precio Solo doping del UID de Crystal Gallium Oxide Substrate del semiconductor en línea
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oblea de silicio (26)
Buen precio Dopante de boro tipo P de oblea de silicio de 0,001-100 ohm-cm en línea
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Buen precio Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada en línea
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Buen precio 2" primero μm estándar <10 Capabilities<5um máximo de la oblea de silicio en línea
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Buen precio Sustrato primario de oblea epitaxial de silicio microelectrónico 279um en línea
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Sapphire Wafer (19)
Buen precio el espejo de 50m m Sapphire Wafer R9 pulió el tipo listo del borde R de la oblea de EPI en línea
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Buen precio Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2 en línea
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Buen precio Un plano Orientación de la superficie Zafiro Wafer Pulido de espejo Listo para EPI en línea
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Buen precio Oblea de sustrato de zafiro Al2O3 de alta pureza de 50 mm Thk 430 μm en línea
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Sapphire Substrates modelada (10)
Buen precio Ángulo de borde plano Sustratos de zafiro estampado de 16 mm Superficie frontal en línea
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Buen precio Sapphire Crystal Wafer modelada 2inch Sapphire Substrate en línea
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Buen precio Sustratos de zafiro estampado de 50,80 mm 430 um plano A en línea
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Buen precio Substrato de zafiro PSS estampado con láser posterior TTV 5um en línea
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Tenedor de la oblea del (1)
Buen precio Titular de oblea de teflón de 6 pulgadas Limpieza de cestas y manijas de flores en línea
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Cortadora de obleas (5)
Buen precio 0.1mm/s a la máquina de corte en cuadritos X AXIS de la oblea 600mm/s que corta la gama 260m m en línea
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Buen precio Máquina cortadora de obleas de silicio Sierra cortadora automática de 260 mm en línea
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Buen precio Cortadora automática de obleas 8 pulgadas 250 mm × 250 mm 300 mm en línea
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Buen precio Máquina para cortar en cubitos de obleas de 8 pulgadas Rango de corte de eje X 260 mm 1.8 KW 2.2 KW en línea
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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