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Datos del producto:
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| Nombre de producto: | Solo substrato cristalino de GaN | Dimensiones: | ± 50,8 1 milímetro |
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| Grueso: | 350 ±25µm | Orientación: | Avión de C (0001) del ángulo hacia M-AXIS |
| TTV: | ≤ el 10µm | Arco: | μm del ≤ 20 |
| Densidad macra del defecto: | ² 0cm⁻ | Área usable: | > el 90% (exclusión del borde) |
| Resaltar: | Oblea de semiconductor del nitruro del galio,Oblea gan plana del epi de C,Oblea de semiconductor 325um |
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substratos libres de 2 pulgadas SI-GaN
Una oblea epitaxial (también llamó la oblea, la epi-oblea, o el epiwafer del epi) es una oblea del material semiconductor hecha por el crecimiento epitaxial (epitaxia) para el uso en photonics, microelectrónica, spintronics, o photovoltaics.
Las obleas finas de Epi son de uso general para los dispositivos del MOS del borde delantero. Epi grueso o las obleas epitaxiales de varias capas se utiliza para los dispositivos principalmente para controlar energía eléctrica, y están contribuyendo a mejorar la eficacia del consumo de energía.
| substratos libres de 2 pulgadas SI-GaN | ||||||||
| Nivel excelente (s) | Nivel de la producción (a) | Nivel de la investigación (b) | Nivel simulado (c) |
Nota: (1) área usable: borde y exclusión macra de los defectos (2) 3 puntos: el miscut pesca con caña de posiciones (2, 4, 5) son 0,35 ± 0,15o |
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| S1 | S-2 | A-1 | A-2 | |||||
| Dimensión | ± 50,8 1 milímetro | |||||||
| Grueso | 350 μm del ± 25 | |||||||
| Plano de la orientación | ± 0,5o, (de 1-100) ± 16 1 milímetro | |||||||
| Plano secundario de la orientación | ± 3o, (de 11-20) ± 8 1 milímetro | |||||||
| Resistencia (300K) | > 1 x 106 Ω·cm para semiaislante (FE-dopado; GaN-FS-C-SI-C50) | |||||||
| TTV | μm del ≤ 15 | |||||||
| ARCO | μm del ≤ 20 | μm del ≤ 40 | ||||||
| Aspereza de superficie de la cara del GA |
< 0=""> o < 0=""> |
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| Aspereza de superficie de la cara de N |
0,5 μm ~1,5 opción: 1~3 nanómetro (tierra fina); < 0=""> |
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| Paquete | Empaquetado en un recinto limpio en solo envase de la oblea | |||||||
| Área usable | > el 90% | >el 80% | >el 70% | |||||
| Densidad de dislocación | <9>cm2s x105 | <3x10>6 cm2s | <9>5 cm2s | <3>cm2s x106 | <3x10>6 cm2s | |||
| Orientación: Avión de C (0001) del ángulo hacia M-AXIS |
0,35 ± 0,15o (3 puntos) |
0,35 ± 0,15o (3 puntos) |
0,35 ± 0,15o (3 puntos) |
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| Densidad macra del defecto (agujero) | 0 cm2s | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | |||||
| Tamaño máximo de defectos macros | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> | |||||
* estándares nacionales de China (GB/T32282-2015)
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
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Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
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