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Datos del producto:
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| Dimensiones: | ± 50,8 1 milímetro | Grueso: | 350 ±25µm |
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| TTV: | ≤ el 10µm | Arco: | μm del ≤ 20 |
| Densidad macra del defecto: | ² 0cm⁻ | Área usable: | > el 90% (exclusión del borde) |
| Nombre de producto: | GaN Substrates libre | Densidad de dislocación: | Del ⁵ 1x 10 al ² del cm⁻ de 3 x 10 ⁶ (calculado por el CL) * |
| Resaltar: | Oblea epitaxial de GaN de 350 um,Sustratos de GaN independientes,Oblea epitaxial de GaN de 10 x 10 |
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Sustrato monocristalino de GaN autónomo de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 106Dispositivos RF de Ω·cm
Para reducir el portador de captura de Fe y las resistencias de lámina del gas de electrones bidimensionales generados a partir de la interfaz de AlGaN y GaN, también se optimizó la relación de espesor de las bi-epilapas de GaN dopadas con Fe y sin dopar.Se han desarrollado con éxito transistores de alta movilidad de electrones de AlGaN/GaN con la concentración de dopaje óptima de GaN dopado con Fe y el espesor adecuado de GaN no dopado.
| 2 pulgadasDe pieSI-GaN Ssustratos | ||||||||
| miexcelentenivel (S) | Nivel de producción (A) | Nivel de investigación (B) | Nivel ficticio (C) |
Nota: (1) Área utilizable: exclusión de defectos de borde y macro (2) 3 puntos: los ángulos de corte incorrecto de las posiciones (2, 4, 5) son 0,35 ± 0,15o |
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| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | |||||
| Dimensión | 50,8 ± 1 mm | |||||||
| Espesor | 350 ± 25micras | |||||||
| Orientación plana | (1-100) ± 0,5o, 16 ± 1 mm | |||||||
| Piso orientación secundaria | (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm | |||||||
| Resistividad (300K) | > 1x106Ω·cm para semiaislante (dopado con Fe; GaN-FS-C-SI-C50) | |||||||
| TTV | ≤ 15 micras | |||||||
| ARCO | ≤ 20 micras | ≤ 40 micras | ||||||
| Rugosidad de la superficie de la cara Ga |
< 0,2 nm (pulido) o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia) |
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| N rugosidad de la superficie de la cara |
0,5 ~ 1,5 micras opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido) |
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| Paquete | Empaquetado en una sala limpia en un solo contenedor de obleas | |||||||
| Área utilizable | > 90% | >80% | >70% | |||||
| Dislocacióndensidad | <9.9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <9.9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <3x106cm-2 | |||
| Orientación: plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M |
0,35 ± 0,15o (3 puntos) |
0,35 ± 0,15o (3 puntos) |
0,35 ± 0,15o (3 puntos) |
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| Densidad de macrodefecto (agujero) | 0cm-2 | <0,3 cm-2 | < 1cm-2 | |||||
| Tamaño máximo de macrodefectos | < 700 micras | < 2000 micras | < 4000 micras | |||||
* Normas nacionales de China (GB/T32282-2015)
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
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