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GaN Based Heterostructures Is Expected que se utilizará extensivamente en dispositivos de la Inter-Sub-banda (ISB)

2022-08-11 12:44:31

Recientemente, Caroline B Lim y su equipo publicaron un papel en el diario japonés de la física aplicada, en el cual el GaN m-orientado no polar: Las heteroestructuras de Si/Al (GA) N crecidas en GaN libre para la optoelectrónica del intersubband en las gamas de la cortocircuito-longitud de onda, ...

1

Sobre

GaN Epitaxial Wafer: el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI; El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm; Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial: Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um; borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um; CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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