Enviar mensaje
Contacta ahora
Búsqueda
Productos recomendados
Video
calidad el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI fábrica

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

GaN Epitaxial Wafer
Obtenga el mejor precio
Video
calidad Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN fábrica

Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN

GaN Epitaxial Wafer
Obtenga el mejor precio
Video
calidad Avión de la oblea de semiconductor del nitruro del galio 325um 375um C fábrica

Avión de la oblea de semiconductor del nitruro del galio 325um 375um C

GaN Epitaxial Wafer
Obtenga el mejor precio
calidad Sustrato de nitruro de galio SP Face 5 X 10 mm2 350um fábrica

Sustrato de nitruro de galio SP Face 5 X 10 mm2 350um

GaN Epitaxial Wafer
Obtenga el mejor precio

calidad GaN Epitaxial Wafer & Oblea sic epitaxial fábrica

Video
calidad El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm fábrica

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Dimensiones: ± 50,8 1 milímetro

Grueso: 350 ±25µm

Arco: - ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm

Contacta con nosotros
Video
calidad Avión de la oblea de semiconductor del nitruro del galio 325um 375um C fábrica

Avión de la oblea de semiconductor del nitruro del galio 325um 375um C

Nombre de producto: Solo substrato cristalino de GaN

Dimensiones: ± 50,8 1 milímetro

Grueso: 350 ±25µm

Contacta con nosotros
calidad Oblea de nitruro de galio monocristalino de GaN tipo SI fábrica

Oblea de nitruro de galio monocristalino de GaN tipo SI

Dimensiones: ² de 5 x de 10m m

Nombre de producto: GaN Substrates libre

Grueso: 350 ±25µm

Contacta con nosotros
calidad M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um fábrica

M Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um

Nombre de producto: Sustrato de GaN

Dimensiones: 5x10,5 mm²

Grueso: 350 ±25µm

Contacta con nosotros
Video
calidad 5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer On Doped Si Tipo Gan Sustrato monocristalino fábrica

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaxial Wafer On Doped Si Tipo Gan Sustrato monocristalino

Nombre de producto: GaN Single Crystal Substrate libre

Dimensiones: ² de 5 x10mm

Grueso: 350 ±25µm

Contacta con nosotros
calidad avión de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15° fábrica

avión de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15°

Dimensiones: 10x10,5 mm²

Grueso: 350 ±25µm

Orientación: Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,35 ±0,15°

Contacta con nosotros
calidad 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal fábrica

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal

Diámetro: 150.0m m +0mm/-0.2mm

Nombre de producto: Oblea sic epitaxial

Orientación superficial: De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5

Contacta con nosotros
Video
calidad Politipo Ninguno permitido SiC Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD Grado D fábrica

Politipo Ninguno permitido SiC Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD Grado D

Nombre de producto: Oblea sic epitaxial

Longitud plana primaria: ± 1.5m m de 47.5m m

Diámetro: 150.0m m +0mm/-0.2mm

Contacta con nosotros
Video
calidad 4H oblea sic epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm del cm ≤4000/cm fábrica

4H oblea sic epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm del cm ≤4000/cm

Nombre de producto: Oblea sic epitaxial

Diámetro: 150.0m m +0mm/-0.2mm

Orientación superficial: De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5

Contacta con nosotros
calidad Oblea epitaxial de SiC de 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm fábrica

Oblea epitaxial de SiC de 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm

Nombre de producto: Oblea sic epitaxial

Orientación superficial: De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5

Longitud plana primaria: ± 1.5m m de 47.5m m

Contacta con nosotros
calidad el P-MOS sic epitaxial de la oblea 4H califica 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros fábrica

el P-MOS sic epitaxial de la oblea 4H califica 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros

Nombre de producto: Oblea sic epitaxial

Diámetro: 150.0m m +0mm/-0.2mm

Orientación superficial: De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5

Contacta con nosotros
Video
calidad oblea sic epitaxial de 150.0m m +0mm/-0.2mm ningún plano secundario 3m m fábrica

oblea sic epitaxial de 150.0m m +0mm/-0.2mm ningún plano secundario 3m m

Nombre de producto: Oblea sic epitaxial

Diámetro: 150.0m m +0mm/-0.2mm

Orientación superficial: De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5

Contacta con nosotros
Más productos
100m m 4 avanzan lentamente el grueso azul 5um - 6um del LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP
Zafiro plano Oblea epitaxial GaN LED azul de 4 pulgadas en Sapphire SSP
625um 675um 4 al zafiro plano azul de la pulgada LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP
Sustrato monocristalino de galio de GaN independiente tipo N de cara A sin dopar
Una cara GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
Oblea semiconductora de nitruro de galio monocristalino TTV 10um
Grosor de oblea epitaxial de 5 x 10 mm2 M Face GaN 325um 375um
Grosor de la oblea de nitruro de galio GaN 325um - 375um Independiente
0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del cm
47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros
Sustrato tipo N SiC 4H de 6 pulgadas, 47,5 mm, sin plano secundario
1um al lado simple o doble del substrato del nitruro de aluminio 5um pulió
Oblea de nitruro de aluminio de película gruesa de 2 pulgadas AIN en cara de Al de oblea de zafiro
Oblea de nitruro de aluminio semiaislante AIN en superficie de oblea de zafiro
AIN Sapphire Wafer Sapphire Single semi aislador o el lado doble pulió
Aspereza Ra<1.5nm de AIN On Aluminum Nitride Wafer
Película gruesa 2um 3um AIN en oblea de zafiro semiaislante de 2 pulgadas
Oblea de nitruro de aluminio de 2 pulgadas pulida de lado simple o doble
Ra 0.3nm Ga2O3 Single Crystal Oblea epitaxial 2 pulgadas 4 pulgadas
Sn dopaje Ga2O3 oblea sustrato monocristalino 10x10mm2
China Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
WHO SOMOS
Introducción
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. es una empresa especializada en materiales, equipos, servicios de prueba y análisis y asesoramiento técnico relacionados con la tecnología de semiconductores de banda ancha.Fundada en 2020, somos una subsidiaria de propiedad total de Suzhou Nanowin Technology Co., Ltd. Nuestro equipo tiene una gran acumulación tecnológica y abundantes recursos de clientes en la industria de los semiconductores, y está comprometido a aportar valor a la cadena ...
Perfil de la CQ
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. es una empresa de alta tecnología dedicada al desarrollo de tecnologías para fabricar materiales semiconductores de nitruro de alta calidad.La ventaja clave de GaNova es su experiencia sin igual en materiales y posee patentes esenciales en sustratos de GaN y tecnologías de crecimiento.GaNova ofrece sustrato de GaN independiente estándar y personalizado y plantillas de GaN/zafiro con densidades de dislocaciones extra bajas, que son adecuadas para ...
Ver más >>
Contacta con nosotros
Dirección :
Edificio 11, carril 1333, avenida Jiangnan, ciudad de Changxing, distrito de Chongming, Shanghái
Tiempo de trabajo :
9：10-18:00 (Tiempo de Pekín)
Teléfono de negocios :

+8613372109561(Trabajo El tiempo)

86-18962520616(Tiempo fuera del trabajo)

correo electrónico :
baixiwen2022@ganova.com.cn
China Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Deja un mensaje.
Los productos y servicios de alta calidad han hecho que cada vez más clientes nos elijan.
Sobre
sobre nosotros Recorrido por la fábrica Control de calidad contacta con nosotros noticias Mapa del Sitio

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal
Política de privacidad  | China es buena. Calidad GaN Epitaxial Wafer Proveedor. Derecho de autor 2023-2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Todo. Todos los derechos reservados.