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0.6m m 0.8m m Ga2O3 solo Crystal Substrate Single Polishing

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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0.6m m 0.8m m Ga2O3 solo Crystal Substrate Single Polishing

0.6m m 0.8m m Ga2O3 solo Crystal Substrate Single Polishing
0.6mm 0.8mm Ga2O3 Single Crystal Substrate Single Polishing
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Ampliación de imagen :  0.6m m 0.8m m Ga2O3 solo Crystal Substrate Single Polishing

Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDCD04-001-001&002
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana

0.6m m 0.8m m Ga2O3 solo Crystal Substrate Single Polishing

descripción
Nombre de producto: Solo Crystal Substrate Orientación: (201)
Superficie pulida: Solo lado pulido FWHM: <350arcsec>
Ra: ≤0.3nm Grueso: 0.6~0.8m m
Resaltar:

Ga2O3 solo Crystal Substrate

,

Oblea 0.6m m del óxido del galio

,

0.8m m solo Crystal Substrate

10x10mm2 (- 201) FE-dopó los dispositivos optoelectrónicosdel solodel substratodel GA2O3 libres del producto del grado solo grueso de pulido cristalino 0.6~0.8m m FWHM<350arcsec, de Ra≤0.3 nanómetro, las capas de aislamiento de materiales del semiconductor, y los filtros ULTRAVIOLETA

El substrato del nitruro del galio (GaN) es un substrato monocristal de alta calidad. Se hace con método de HVPE y la tecnología de proceso originales de la oblea, que se ha desarrollado originalmente durante muchos años. Las características son alta uniformidad cristalina, buena, y calidad superficial superior.

El propósito de este estudio es resumir avances recientes en el funcionamiento del organismo polimorfo lo más extensamente posible estudiado, β-GA2 O3 del crecimiento, del proceso ydel dispositivo. El papel de defectos y las impurezas en el transporte y las propiedades ópticas del bulto, el material epitaxial y de los nanostructures, la dificultad en el doping del p-tipo y el desarrollo de las técnicas de proceso como la aguafuerte, la formación del contacto, los dieléctricos para la formación de la puerta y la estabilización se discuten.

Substrato del nitruro del galio--Nivel del producto
Dimensiones 10*15m m 10*10m m
Grueso 0.6~0.8m m
Orientación (201)
Doping FE Sn
Superficie pulida Solo lado pulido
Resistivity/Nd-Na / <9e18>
FWHM <350arcsec>
Ra ≤0.3nm
Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, bajo atmósfera del nitrógeno

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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