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side polished ga2o3 wafer fabricación en línea

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Sola Ga2O3 oblea pulida lateral solo Crystal Substrate
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2023-02-17 14:49:00

Grueso monocristalino de sustrato de Ga2O3 pulido de un solo lado 0,6 mm 0,8 mm
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2023-02-17 14:30:35

Oblea solo Crystal Substrate Thickness de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6m m a 0.8m m
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2023-02-17 14:17:37

10x15mm2 UID dopado independiente Ga2O3 Wafer solo pulido
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2022-09-27 16:57:32

Sn dopaje Ga2O3 oblea sustrato monocristalino 10x10mm2
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2023-02-17 14:34:53

oblea Ga2O3 10x15m m de 10x10m m solo Crystal Substrate
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2022-09-27 16:57:06

Situación libre libre del sustrato 10x10mm2 del solo cristal de la oblea dopada con Fe Ga2O3
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2022-10-09 10:34:19

Ra 0.3nm Ga2O3 Single Crystal Oblea epitaxial 2 pulgadas 4 pulgadas
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2023-02-17 14:34:04

0.6m m 0.8m m Ga2O3 solo Crystal Substrate Single Polishing
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2023-02-17 14:49:22

Solo doping del UID de Crystal Gallium Oxide Substrate del semiconductor
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2022-10-09 10:30:43

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal