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Sola Ga2O3 oblea pulida lateral solo Crystal Substrate

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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Sola Ga2O3 oblea pulida lateral solo Crystal Substrate

Sola Ga2O3 oblea pulida lateral solo Crystal Substrate
Single Side Polished Ga2O3 Wafer Single Crystal Substrate
Sola Ga2O3 oblea pulida lateral solo Crystal Substrate Sola Ga2O3 oblea pulida lateral solo Crystal Substrate

Ampliación de imagen :  Sola Ga2O3 oblea pulida lateral solo Crystal Substrate

Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDCD04-001-002
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana

Sola Ga2O3 oblea pulida lateral solo Crystal Substrate

descripción
Nombre de producto: Solo Crystal Substrate Grueso: 0.6~0.8m m
Superficie pulida: Solo lado pulido Orientación: (201)
FWHM: <350arcsec> Ra: ≤0.3nm
Resaltar:

El lado pulió la oblea Ga2O3

,

substrato del nitruro del galio de 0.6m m

,

Ga2O3 oblea UKAS

10x10mm2 (- 201) FE-dopó los dispositivos optoelectrónicosdel solodel substratodel GA2O3 libres del producto del grado solo grueso de pulido cristalino 0.6~0.8m m FWHM<350arcsec, de Ra≤0.3 nanómetro, las capas de aislamiento de materiales del semiconductor, y los filtros ULTRAVIOLETA

El óxido del galio (GA2 O3) está emergiendo como clases viables de un candidato con certeza de electrónica de poder, de fotodetectores ULTRAVIOLETA ciegos solares, de células solares y de sensores con capacidades más allá de las tecnologías existentes debido a su bandgap grande. Se divulga generalmente que hay cinco diversos organismos polimorfos de GA2 O3, el rubí sintético (γ), cúbicos a saber el monoclínicos (β−Ga2O3), romboédricos (α), defectuosos (δ), o las estructuras ortorrómbicas (del ε).

Substrato del nitruro del galio--Nivel del producto
Dimensiones 10*15m m 10*10m m
Grueso 0.6~0.8m m
Orientación (201)
Doping FE Sn
Superficie pulida Solo lado pulido
Resistivity/Nd-Na / <9e18>
FWHM <350arcsec>
Ra ≤0.3nm
Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, bajo atmósfera del nitrógeno

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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