Solo doping del UID de Crystal Gallium Oxide Substrate del semiconductor

Name: Solo doping del UID de Crystal Gallium Oxide Substrate del semiconductor
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD04-001-005
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Solo doping del UID de Crystal Gallium Oxide Substrate del semiconductor

Ampliación de imagen : Solo doping del UID de Crystal Gallium Oxide Substrate del semiconductor

Datos del producto:

Lugar de origen:	Suzhou China
Nombre de la marca:	GaNova
Certificación:	UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo:	JDCD04-001-005

Pago y Envío Términos:

Detalles de empaquetado:	Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Tiempo de entrega:	3-4 días de la semana

Contacto

Solo doping del UID de Crystal Gallium Oxide Substrate del semiconductor

descripción

Grueso:	0.6~0.8m m	Nombre de producto:	Solo Crystal Substrate
Orientación:	(010) (201)	Doping:	UID
FWHM:	<350arcsec>	Ra:	≤0.5nm
Resaltar:	Solo substrato de Crystal Gallium Oxide , oblea de semiconductor ISO , Doping del UID del substrato del óxido del galio

GA₂O₃ solo Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8m m FWHM<350arcsec>

10x15mm2 (- 201) Uid-dopó el solo grueso_de pulido cristalino 0.6~0.8m m FWHM<350arcsec del grado del producto del substrato del GA₂O₃ libres solo, los dispositivos optoelectrónicos de la resistencia 4.13E+17Ω/cm-3 de Ra≤0.5nm, las capas de aislamiento de materiales del semiconductor, y los filtros ULTRAVIOLETA

Cristal del óxido del galio el solo (GA₂ O₃) es un material ancho-bandgap del semiconductor. El óxido del galio (GA₂ O₃) tiene perspectivas amplias del uso en los dispositivos optoelectrónicos, él utilizó como capa de aislamiento para los materiales GA-basados del semiconductor, y como filtro ultravioleta.

Hay cinco fases cristalinas de GA₂ O₃, pero el beta-GA₂ O₃ es el único que puede existir estable en la temperatura alta. El β-GA₂ O₃ es un nuevo tipo de material transparente del semiconductor del bandgap ultra-ancho con un ancho de banda prohibido alrededor Eg. del eV =4.8, que conveniente para los dispositivos de poder verticales de fabricación de la estructura del poder más elevado con densidad de gran intensidad. Tiene perspectivas del uso en los campos de los detectores ultravioletas, de los diodos electroluminosos (LED) y de los sensores del gas.

Substrato del nitruro del galio--Nivel de la investigación
Dimensiones	10*10m m	10*15m m
Grueso	0.6~0.8m m
Orientación	(010)	(201)
Doping	UID
Superficie pulida	Solo lado pulido
Resistivity/Nd-Na	/	4.13E+17
FWHM	<350arcsec>
Ra	≤0.5nm
Paquete	Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, bajo atmósfera del nitrógeno

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
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Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
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Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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