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Datos del producto:
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| Dimensiones: | ± 50,8 1 milímetro | Nombre de producto: | GaN Substrates libre |
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| Grueso: | 350 ±25µm | Orientación: | Avión de C (0001) del ángulo hacia M-AXIS |
| TTV: | μm del ≤ 15 | Arco: | μm del ≤ 20 |
| Densidad macra del defecto: | ² 0cm⁻ | ||
| Resaltar: | Cara de GaN Epitaxial Wafer C,El FE dopó el solo substrato cristalino,2inch GaN Epitaxial Wafer |
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la C-cara 2inch FE-dopó el SI-tipo sola resistencia cristalina libre del substrato de GaN > 106 Ω·radioinstrumentos del cm
Las características del crecimiento de las capas epitaxiales FE-dopadas de GaN en sic (los 001) substratos semiaislantes fueron estudiadas usando la deposición de vapor químico metalorgánica para las altas aplicaciones para dispositivos del voltaje de avería. Una superficie FE-dopada lisa del epilayer de GaN puede ser observada cambiando el flujo del ferrocene, mientras que concentraciones más altas del FE en el epilayer de GaN afectan a la morfología superficial.
| substratos libres de 2 pulgadas SI-GaN | ||||||||
| Nivel excelente (s) | Nivel de la producción (a) | Nivel de la investigación (b) | Nivel simulado (c) |
Nota: (1) área usable: borde y exclusión macra de los defectos (2) 3 puntos: el miscut pesca con caña de posiciones (2, 4, 5) son 0,35 ± 0,15o |
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| S1 | S-2 | A-1 | A-2 | |||||
| Dimensión | ± 50,8 1 milímetro | |||||||
| Grueso | 350 μm del ± 25 | |||||||
| Plano de la orientación | ± 0,5o, (de 1-100) ± 16 1 milímetro | |||||||
| Plano secundario de la orientación | ± 3o, (de 11-20) ± 8 1 milímetro | |||||||
| Resistencia (300K) | > 1 x 106 Ω·cm para semiaislante (FE-dopado; GaN-FS-C-SI-C50) | |||||||
| TTV | μm del ≤ 15 | |||||||
| ARCO | μm del ≤ 20 | μm del ≤ 40 | ||||||
| Aspereza de superficie de la cara del GA |
< 0=""> o < 0=""> |
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| Aspereza de superficie de la cara de N |
0,5 μm ~1,5 opción: 1~3 nanómetro (tierra fina); < 0=""> |
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| Paquete | Empaquetado en un recinto limpio en solo envase de la oblea | |||||||
| Área usable | > el 90% | >el 80% | >el 70% | |||||
| Densidad de dislocación | <9>cm2s x105 | <3x10>6 cm2s | <9>5 cm2s | <3>cm2s x106 | <3x10>6 cm2s | |||
| Orientación: Avión de C (0001) del ángulo hacia M-AXIS |
0,35 ± 0,15o (3 puntos) |
0,35 ± 0,15o (3 puntos) |
0,35 ± 0,15o (3 puntos) |
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| Densidad macra del defecto (agujero) | 0 cm2s | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | |||||
| Tamaño máximo de defectos macros | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> | |||||
* estándares nacionales de China (GB/T32282-2015)
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
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