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blue led gan epitaxial wafer fabricación en línea

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Zafiro plano de oblea epitaxial GaN LED azul de 4 pulgadas C
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2022-10-08 17:23:04

Zafiro plano Oblea epitaxial GaN LED azul de 4 pulgadas en Sapphire SSP
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2022-10-08 17:23:32

100m m 4 avanzan lentamente el grueso azul 5um - 6um del LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP
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2022-10-08 17:07:51

625um 675um 4 al zafiro plano azul de la pulgada LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP
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2023-03-23 16:48:11

zafiro plano de la oblea del verde LED de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100 milímetros
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2022-10-08 17:16:14

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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2023-02-17 10:18:05

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (11-12) < 0,1 Ω·dispositivo de poder del cm
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2023-02-17 11:08:54

Sapphire Substrate Wafer Thk plana 440um de la longitud (milímetro) microprocesador de 16 LED
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2022-09-27 16:24:09

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea Epi GaAs

Sustratos de diamante CVD

Sistema de recocido térmico rápido

Probador de sensores de efecto Hall

Oblea del nitruro de aluminio

Microprocesador del diodo láser

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal