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AlGaN Buffer Espesor 600nm 2 pulgadas Blue-LED GaN en oblea de silicio

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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AlGaN Buffer Espesor 600nm 2 pulgadas Blue-LED GaN en oblea de silicio

AlGaN Buffer Espesor 600nm 2 pulgadas Blue-LED GaN en oblea de silicio
AlGaN Buffer Espesor 600nm 2 pulgadas Blue-LED GaN en oblea de silicio

Ampliación de imagen :  AlGaN Buffer Espesor 600nm 2 pulgadas Blue-LED GaN en oblea de silicio

Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDWY03-002-014
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000pcs/Month

AlGaN Buffer Espesor 600nm 2 pulgadas Blue-LED GaN en oblea de silicio

descripción
Dimensiones: 2 pulgadas/4 pulgadas Grueso del almacenador intermediario de AlGaN: 600NM
Laser del d'onde del Longueur: 455±10nm Estructura del substrato: 111) substratos de 20nmP++GaN/60nmP-GaN/30nmP-AlGaN/5nmGaN-QB/3nmInGaN-QW/2800nmN-GaN/800nmUndoped G
Nombre de producto: GaN Epitaxial Wafer Características: GaN LED azul de 2-4 pulgadas en silicio
Resaltar:

600nm GaN en la oblea de silicio

,

2 pulgadas de GaN en una oblea de silicio

GaN LED azul de 2 pulgadas en oblea de silicio

 

Hay tres sustratos principales que se utilizan con GaN: carburo de silicio (SiC), silicio (Si) y diamante.GaN en SiC es el más común de los tres y se ha utilizado en varias aplicaciones militares y para aplicaciones de infraestructura inalámbrica de alta potencia.GaN on Si es un sustrato más nuevo cuyo rendimiento no es tan bueno como el SiC pero es más económico.GaN on Diamond es el de mejor desempeño, sin embargo, dado que es nuevo y relativamente costoso, las aplicaciones en las que se ha utilizado son limitadas.

 

GaN LED azul de 2-4 pulgadas en silicio

Artículo

Sustratos Si(111) (1500 μm)

AIN Tampón de AlGaN GaN no dopado N-GaN MQW (7 pares) P-AlGaN P-GaN

P++GaN

 

InGaN-QW GaN-QB
Dimensión 2 pulgadas/4 pulgadas
Espesor 330nm 600nm 800nm 2800 nm 3 nm 5nm 30nm 60nm 20nm
Composición Alabama% / calificado hacia abajo / / / / 15% / /
En% / / / / 15% / / / /
dopaje [Si] / / / 8.0E+18 / 2.0E+17 / / /
[mg] / / / / / / 1.0E+20 3.0E+19 2.0E+20
Láser de longitud de onda 455±10nm
Estructura del sustrato 20nmP++GaN/60nmP-GaN/30nmP-AlGaN/5nmGaN-QB/3nmInGaN-QW/2800nmN-GaN/800nmGaN sin dopar/600nmAlGaN buffer/330nmAIN/Si(111)sustratos (1500μm)
Paquete Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un contenedor de 25PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno

 

 

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

 

 

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
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Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
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Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
P: ¿Cuáles son sus condiciones de pago?
Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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