CHINA Microprocesador del diodo láser

Eficiencia 1.0W/A de pendiente de impresión láser de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A

Tipo del paquete:Montaje en superficie, paquete estándar

Tipo:Diodo láser

Uso:Impresión láser
Chip láser de diodo COS de 915 nm y 10 W en diseño de submontaje

Tipo:Diodo láser

Uso:Impresión láser

Tipo del paquete:Montaje en superficie, paquete estándar
paquete de Chip Printing Surface Mount Standard del diodo láser 915nm

Tipo del paquete:Montaje en superficie, paquete estándar

Temperatura de funcionamiento:15-55 ℃

Longitud de onda:915nm
Microprocesador del laser del diodo del tamaño 94um del emisor en la corriente 0.5A del umbral del diseño del submontaje

Tipo:Diodo láser

Uso:Impresión láser

Tipo del paquete:Montaje en superficie, paquete estándar
Chip de diodo láser de paquete estándar de montaje en superficie 1.0W/A

Tipo:Diodo láser

Uso:Impresión láser

Temperatura de funcionamiento:15-55 ℃
Longitud de onda 915nm del tamaño 94μm del emisor del microprocesador 1.0W/A del semiconductor del diodo del laser de la impresión

Tipo:Diodo láser

Uso:Impresión láser

Tipo del paquete:Montaje en superficie, paquete estándar
Eficiencia de conversión de potencia de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A 58%

Tipo:Diodo láser

Uso:Impresión láser

Tipo del paquete:Montaje en superficie, paquete estándar
Diodo grado 10W de potencia de salida de Chip Operating Temperature 15 a 55 de la impresión por láser

Tipo:Diodo láser

Uso:Impresión láser

Tipo del paquete:Montaje en superficie, paquete estándar
longitud de onda 915nm de Chip Slope Efficiency 1.0W/A del diodo láser 94um

Tipo:Diodo láser

Tipo del paquete:Montaje en superficie, paquete estándar

Longitud de onda:915nm
soporte superficial de Chip Laser Printing Wavelength 915nm de los diodos láser 0.5A

Tipo:Diodo láser

Uso:Impresión láser

Tipo del paquete:Montaje en superficie, paquete estándar

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Microprocesador del diodo láser

CHINA Microprocesador del diodo láser

Eficiencia 1.0W/A de pendiente de impresión láser de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A

Chip láser de diodo COS de 915 nm y 10 W en diseño de submontaje

paquete de Chip Printing Surface Mount Standard del diodo láser 915nm

Microprocesador del laser del diodo del tamaño 94um del emisor en la corriente 0.5A del umbral del diseño del submontaje

Chip de diodo láser de paquete estándar de montaje en superficie 1.0W/A

Longitud de onda 915nm del tamaño 94μm del emisor del microprocesador 1.0W/A del semiconductor del diodo del laser de la impresión

Eficiencia de conversión de potencia de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A 58%

Diodo grado 10W de potencia de salida de Chip Operating Temperature 15 a 55 de la impresión por láser

longitud de onda 915nm de Chip Slope Efficiency 1.0W/A del diodo láser 94um

soporte superficial de Chip Laser Printing Wavelength 915nm de los diodos láser 0.5A

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal