Eficiencia de conversión de potencia de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A 58%

Eficiencia de conversión de potencia de chip de diodo láser de corriente de umbral 0.5A 58%

Chip láser de diodo COS de 915 nm y 10 W en diseño de submontaje

Se demuestra la integración en chip de diodos láser y fotodetectores con guías de ondas de nanocables de silicio.A través de la unión flip-chip de los diodos láser GaInNAs/GaAs directamente sobre el sustrato de silicio, se logró una disipación de calor eficiente y se lograron temperaturas características de hasta 132K.Se utilizaron convertidores de tamaño de punto para el acoplamiento de láser a guía de ondas, con eficiencias superiores al 60%.

Los fotodetectores se fabricaron mediante la unión de obleas de InGaAs/InP directamente a guías de ondas de silicio y la formación de estructuras de metal-semiconductor-metal, lo que proporciona respuestas de hasta 0,74 A/W.Tanto el diodo láser como el fotodetector se integraron con una sola guía de ondas de silicio para demostrar un enlace de transmisión óptica completo en el chip.