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Oblea Epi GaAs

CHINA Oblea Epi GaAs

Oblea Epi de GaAs de 2 pulgadas Sustratos no dopados de GaAs VGF

Método del crecimiento:FVG

Tipo de conducta:S-C-N

Nombre de producto:Sustratos no dopados de GaAs (100)
S-C-N Conducto Sustratos no dopados de GaAs de 2 pulgadas Alta movilidad de electrones

Nombre de producto:Oblea de GaAs-Si

Tipo de conducta:S-C-N

dopante:GaAs-Si
oblea sin impurificar 0.4E18 del GaAs Epi de los substratos de 2inch GaAs a 1E18

Tipo de conducta:S-C-N

dopante:GaAs-Si

Ángulo de orientación:0°
Dopante sin impurificar de los substratos 2inch GaAs Si de VGF GaAs

Nombre de producto:Sustratos no dopados de GaAs (100)

Método del crecimiento:FVG

Tipo de conducta:S-C-N
substratos sin impurificar de la oblea de 17m m 2inch GaAs Epi 50.8m m

Nombre de producto:Oblea de GaAs-Si

Método del crecimiento:FVG

Tipo de conducta:S-C-N
Sustratos sin dopar de oblea de GaAs de 51 mm y 2 pulgadas Longitud de IF de 7 mm

Método del crecimiento:FVG

Tipo de conducta:S-C-N

Nombre de producto:Oblea de GaAs-Si
VGF 2 pulgadas GaAs Epi Oblea Substratos sin dopar Lado Pulido Grabado

Nombre de producto:Sustratos sin dopar GaAs (100) de 2 pulgadas

Método del crecimiento:FVG

Ángulo de orientación:0°
LED de sustrato de arseniuro de galio para comunicaciones ópticas

Nombre de producto:Sustratos no dopados de GaAs (100)

Método del crecimiento:FVG

Tipo de conducta:S-C-N
Compuesto semiconductor GaAs Epi Wafer de 2 pulgadas GaAs Si Wafer UKAS

Nombre de producto:Sustratos no dopados de GaAs (100)

dopante:GaAs-Si

Ángulo de orientación:0°
substratos sin impurificar VGF S-C-N de la oblea 2inch GaAs de 18m m GaAs Si

Nombre de producto:Oblea de GaAs-Si

Método del crecimiento:FVG

Tipo de conducta:S-C-N
JDCD10-001-001 Sustratos sin dopar GaAs (100) de 2 pulgadas

Nombre de producto:Oblea de GaAs-Si

Método del crecimiento:FVG

Tipo de conducta:S-C-N
JDCD10-001-002 Sustratos dopados con Si de GaAs (100) de 2 pulgadas

Nombre de producto:Oblea de GaAs-Si

Método del crecimiento:FVG

Tipo de conducta:S-C-N

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Oblea Epi GaAs

CHINA Oblea Epi GaAs

Oblea Epi de GaAs de 2 pulgadas Sustratos no dopados de GaAs VGF

S-C-N Conducto Sustratos no dopados de GaAs de 2 pulgadas Alta movilidad de electrones

oblea sin impurificar 0.4E18 del GaAs Epi de los substratos de 2inch GaAs a 1E18

Dopante sin impurificar de los substratos 2inch GaAs Si de VGF GaAs

substratos sin impurificar de la oblea de 17m m 2inch GaAs Epi 50.8m m

Sustratos sin dopar de oblea de GaAs de 51 mm y 2 pulgadas Longitud de IF de 7 mm

VGF 2 pulgadas GaAs Epi Oblea Substratos sin dopar Lado Pulido Grabado

LED de sustrato de arseniuro de galio para comunicaciones ópticas

Compuesto semiconductor GaAs Epi Wafer de 2 pulgadas GaAs Si Wafer UKAS

substratos sin impurificar VGF S-C-N de la oblea 2inch GaAs de 18m m GaAs Si

JDCD10-001-001 Sustratos sin dopar GaAs (100) de 2 pulgadas

JDCD10-001-002 Sustratos dopados con Si de GaAs (100) de 2 pulgadas

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal