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Inicio ProductosOblea Epi GaAs

LED de sustrato de arseniuro de galio para comunicaciones ópticas

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Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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LED de sustrato de arseniuro de galio para comunicaciones ópticas

LED de sustrato de arseniuro de galio para comunicaciones ópticas
LED de sustrato de arseniuro de galio para comunicaciones ópticas

Ampliación de imagen :  LED de sustrato de arseniuro de galio para comunicaciones ópticas

Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDCD10-001-002
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000pcs/Month
Contacto

LED de sustrato de arseniuro de galio para comunicaciones ópticas

descripción
Nombre de producto: Sustratos no dopados de GaAs (100) Método del crecimiento: FVG
Tipo de conducta: S-C-N dopante: GaAs-Si
Ángulo de orientación: 0° DE Orientación: EJ[0-1-1]±0,5°
Resaltar:

Sustrato de arseniuro de galio óptico

,

oblea Epi de comunicaciones ópticas

,

sustrato de arseniuro de galio LED

Sustratos sin dopar GaAs (100) de 2 pulgadas

 

Descripción general

El arseniuro de galio se utiliza en la fabricación de diodos emisores de luz (LED), que se encuentran en sistemas de control y comunicaciones ópticas.El arseniuro de galio puede reemplazar al silicio en la fabricación de circuitos integrados lineales y digitales.Los dispositivos lineales (también llamados analógicos) incluyen osciladores y amplificadores.Los dispositivos digitales se utilizan para la conmutación electrónica y también en los sistemas informáticos.

 

 

Oblea de GaAs-Si

Método de crecimiento

 FVG
Tipo de conducta SCN
dopante GaAs-Si
Orientación (100)15°±0,5° Apagado Hacia<111>A
Ángulo de orientación 0°
DE Orientación EJ[0-1-1]±0,5°
DE Longitud (mm) 17±1
SI Orientación EJ[0-11]±0,5°
SI Longitud (mm) 7±1
Diámetro (mm) 50,8±0,2
cc(/cc) 0.4E18~1E18
Resistividad (ohm.cm) N / A
Movilidad (cm2/vs) ≥1000
DEP(/cm2) ≤5000
Espesor (um) 350±20
TTV (um) <10
TTR(um) <10
Arco (um) <15
Deformación (eh) <15
Superficie Lado 1: Pulido Lado 2: Grabado
embalaje Cassette o solo

 

 

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

 

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de la cantidad.
P: ¿Proporcionan muestras?¿Es gratis o extra?
Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
P: ¿Cuáles son sus condiciones de pago?
Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

 

etiqueta:

Lado de oblea GaAs Epi pulido,

Sustratos no dopados de oblea GaAs Epi,

Semiconductor Oblea de arseniuro de galio

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

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Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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