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Oblea Epi de GaAs de 2 pulgadas Sustratos no dopados de GaAs VGF
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2022-09-27 12:00:48

VGF 2 pulgadas GaAs Epi Oblea Substratos sin dopar Lado Pulido Grabado
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2022-09-27 17:19:36

substratos sin impurificar de la oblea de 17m m 2inch GaAs Epi 50.8m m
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Compuesto semiconductor GaAs Epi Wafer de 2 pulgadas GaAs Si Wafer UKAS
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oblea sin impurificar 0.4E18 del GaAs Epi de los substratos de 2inch GaAs a 1E18
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2022-10-09 09:53:31

LED de sustrato de arseniuro de galio para comunicaciones ópticas
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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal