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2022-09-27 12:00:48
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2022-09-27 17:19:36
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2022-09-27 17:18:19
comprar oblea sin impurificar 0.4E18 del GaAs Epi de los substratos de 2inch GaAs a 1E18 en línea fabricante

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2022-10-09 09:53:31
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2022-10-09 09:53:08
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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