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oblea sin impurificar 0.4E18 del GaAs Epi de los substratos de 2inch GaAs a 1E18

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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oblea sin impurificar 0.4E18 del GaAs Epi de los substratos de 2inch GaAs a 1E18

oblea sin impurificar 0.4E18 del GaAs Epi de los substratos de 2inch GaAs a 1E18
oblea sin impurificar 0.4E18 del GaAs Epi de los substratos de 2inch GaAs a 1E18

Ampliación de imagen :  oblea sin impurificar 0.4E18 del GaAs Epi de los substratos de 2inch GaAs a 1E18

Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDCD10-001-002
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000pcs/Month

oblea sin impurificar 0.4E18 del GaAs Epi de los substratos de 2inch GaAs a 1E18

descripción
Tipo de conducta: S-C-N dopante: GaAs-Si
Ángulo de orientación: DE Orientación: EJ[0-1-1]±0,5°
DE Longitud (mm): 17±1 SI Orientación: EJ[0-11]±0,5°
Resaltar:

Oblea sin impurificar del GaAs Epi

,

substratos 1E18 del gaas

,

Oblea 0.4E18 del GaAs Epi

oblea sin impurificar 0.4E18~1E18 del GaAs-Si (de 100) substratos de 2inch GaAs

Descripción

Los radioinstrumentos producidos con los substratos del GaAs son de uso general en usos de comunicación inalámbricos, incluyendo las redes inalámbricas (red inalámbrica (WLAN)), la comunicación móvil, las estaciones base 4G/5G, las comunicaciones por satélite, y las comunicaciones de WiFi.

Oblea GaAs-Si

Método del crecimiento

VGF
Tipo de la conducta S-C-N
Dopante GaAs-Si
Orientación (100) 15°±0.5° de TowardA<111>
Ángulo de la orientación
De la orientación EJ [0-1-1] ±0.5°
De la longitud (milímetros) 17±1
SI orientación EJ [0-11] ±0.5°
SI longitud (milímetros) 7±1
Diámetro (milímetros) 50.8±0.2
Cc (/c.c.) 0.4E18~1E18
Resistencia (ohm.cm) N/A
Movilidad (cm2/v.s) ≥1000
EPD (/cm2) ≤5000
Grueso (um) 350±20
TTV (um) <10>
TTR (um) <10>
Arquee (um) <15>
Defórmese (um) <15>
Superficie Side1: Side2 pulido: Grabado al agua fuerte
Empaquetado Casete o solo

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

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Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
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Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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