CHINA Oblea Ga2O3

Oblea solo Crystal Substrate Thickness de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6m m a 0.8m m

Grueso:0.6~0.8m m

Nombre de producto:Solo Crystal Substrate

Orientación:(010)
Grueso monocristalino de sustrato de Ga2O3 pulido de un solo lado 0,6 mm 0,8 mm

Ra:≤0.5nm

Grueso:0.6~0.8m m

Nombre de producto:Solo Crystal Substrate
oblea Ga2O3 10x15m m de 10x10m m solo Crystal Substrate

Orientación:(010) (201)

Dimensiones:10*10m m; 10*15m m

Nombre de producto:Solo Crystal Substrate
Solo doping del UID de Crystal Gallium Oxide Substrate del semiconductor

Grueso:0.6~0.8m m

Nombre de producto:Solo Crystal Substrate

Orientación:(010) (201)
10x15mm2 UID dopado independiente Ga2O3 Wafer solo pulido

Grueso:0.6~0.8m m

Nombre de producto:Solo Crystal Substrate

Orientación:(010) (201)
Ra 0.3nm Ga2O3 Single Crystal Oblea epitaxial 2 pulgadas 4 pulgadas

Nombre de producto:Solo Crystal Substrate

Grueso:0.6~0.8m m

Orientación:(201)
Sn dopaje Ga2O3 oblea sustrato monocristalino 10x10mm2

Grueso:0.6~0.8m m

Nombre de producto:Solo Crystal Substrate

Orientación:(201)
Situación libre libre del sustrato 10x10mm2 del solo cristal de la oblea dopada con Fe Ga2O3

FWHM:<350arcsec>

Superficie pulida:Solo lado pulido

Grueso:0.6~0.8m m
Sola Ga2O3 oblea pulida lateral solo Crystal Substrate

Nombre de producto:Solo Crystal Substrate

Grueso:0.6~0.8m m

Superficie pulida:Solo lado pulido
0.6m m 0.8m m Ga2O3 solo Crystal Substrate Single Polishing

Nombre de producto:Solo Crystal Substrate

Orientación:(201)

Superficie pulida:Solo lado pulido
JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sustrato de cristal único Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido único de grado de producto

Grueso:0.6~0.8m m

Nombre de producto:Solo Crystal Substrate

Orientación:(101)
JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-dopó el solo Crystal Substrate Product Grade solo polaco libre de Ga2O3

Grueso:0.6~0.8m m

Nombre de producto:Solo Crystal Substrate

Orientación:(201)

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Oblea Ga2O3

CHINA Oblea Ga2O3

Oblea solo Crystal Substrate Thickness de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6m m a 0.8m m

Grueso monocristalino de sustrato de Ga2O3 pulido de un solo lado 0,6 mm 0,8 mm

oblea Ga2O3 10x15m m de 10x10m m solo Crystal Substrate

Solo doping del UID de Crystal Gallium Oxide Substrate del semiconductor

10x15mm2 UID dopado independiente Ga2O3 Wafer solo pulido

Ra 0.3nm Ga2O3 Single Crystal Oblea epitaxial 2 pulgadas 4 pulgadas

Sn dopaje Ga2O3 oblea sustrato monocristalino 10x10mm2

Situación libre libre del sustrato 10x10mm2 del solo cristal de la oblea dopada con Fe Ga2O3

Sola Ga2O3 oblea pulida lateral solo Crystal Substrate

0.6m m 0.8m m Ga2O3 solo Crystal Substrate Single Polishing

JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sustrato de cristal único Ga2O3 independiente dopado con Sn Pulido único de grado de producto

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-dopó el solo Crystal Substrate Product Grade solo polaco libre de Ga2O3

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal