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Datos del producto:
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| FWHM: | <350arcsec> | Superficie pulida: | Solo lado pulido |
|---|---|---|---|
| Grueso: | 0.6~0.8m m | Nombre de producto: | Solo Crystal Substrate |
| Ra: | ≤0.3nm | Paquete: | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, bajo atmósfera del nitrógeno |
| Resaltar: | Oblea dopada con Fe Ga2O3,sustrato Ga2O3 monocristalino,oblea dopada con Fe 10x10mm2 |
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10x10mm2(-201) Sustrato monocristalino de Ga2O3 autónomo dopado con Fe Pulido simple de grado de producto Espesor 0,6~0,8 mm FWHM<350arcsec,Ra≤0,3 nm Dispositivos optoelectrónicos, capas aislantes de materiales semiconductores y filtros UV
Georgia2O3tiene una larga historia y los equilibrios de fase del Al2O3-Georgia2O3-El sistema H2O se informó por primera vez en 1952 1 , en el que los polimorfos (es decir, diferentes formas o estructuras cristalinas) de Ga2O3y también se identificaron sus regiones de estabilidad.
Hay cinco polimorfos comúnmente identificados de Ga2O3, etiquetados como α, β, γ, δ y ε 2-10.Estos se conocen, respectivamente, como corindón (α), monoclínica (β), espinela defectuosa (γ), ortorrómbica (ε), siendo la fase δ comúnmente aceptada como una forma de la fase ortorrómbica.
| Sustrato de nitruro de galio: nivel de producto | ||
| Dimensiones | 10*15mm | 10*10mm |
| Espesor | 0,6~0,8 mm | |
| Orientación | (201) | |
| dopaje | Fe | sn |
| Superficie pulida | Pulido de un solo lado | |
| Resistividad/Nd-Na | / | <9E18 |
| FWHM | <350 arcsec | |
| Real academia de bellas artes | ≤0.3nm | |
| Paquete | Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, bajo una atmósfera de nitrógeno | |
Sobre nosotros
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