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GaN Epitaxial Wafer

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Solo substrato cristalino de GaN

Oblea epitaxial de GaN no dopada

Cara GaN Substrate de C

CHINA GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

Dimensiones:± 50,8 1 milímetro

Nombre de producto:GaN Substrates libre

Grueso:350 ±25µm
El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Dimensiones:± 50,8 1 milímetro

Grueso:350 ±25µm

Arco:- ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm
Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Dimensiones:± 50,8 1 milímetro

Grueso:350 ±25µm

TTV:≤ el 10µm
Avión de la oblea de semiconductor del nitruro del galio 325um 375um C

Nombre de producto:Solo substrato cristalino de GaN

Dimensiones:± 50,8 1 milímetro

Grueso:350 ±25µm
Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN

Nombre de producto:substratos libres de 2 pulgadas de U-GaN/SI-GaN

Dimensiones:50,8 ± 1m m

Grueso:350 ± los 25μm
2 pulgadas U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8m m

Nombre de producto:substratos libres de 2 pulgadas de U-GaN/SI-GaN

Dimensiones:50,8 ± 1m m

Grueso:350 ± los 25μm
La sola O.N.U de la cara de Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C dopó el tipo de N

Nombre de producto:substratos libres de 2 pulgadas de U-GaN/SI-GaN

Dimensiones:50,8 ± 1m m

Grueso:350 ± los 25μm
oblea de semiconductor del nitruro del galio de 50.8m m situación libre de 2 pulgadas

Nombre de producto:substratos libres de 2 pulgadas de U-GaN/SI-GaN

Aspereza de superficie de la cara del GA:< 0="">

Plano de la orientación:± 0.5˚, 16 ± 1m m (de 1-100)
Situación libre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 milímetros 350 um

Nombre de producto:substratos libres de 2 pulgadas de U-GaN/SI-GaN

Dimensiones:50,8 ± 1m m

Grueso:350 ± los 25μm
Sustrato de nitruro de galio SP Face 5 X 10 mm2 350um

Nombre de producto:GaN Substrates libre

Grueso:350 ±25µm

TTV:≤ el 10µm
Oblea epitaxial GaN de 5x10 mm2 Tipo SI no dopado

Nombre de producto:GaN Single Crystal Substrate libre

Grueso:350 ±25µm

TTV:≤ el 10µm
Oblea de nitruro de galio monocristalino de GaN tipo SI

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Nombre de producto:GaN Substrates libre

Grueso:350 ±25µm

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Solo substrato cristalino de GaN

Oblea epitaxial de GaN no dopada

Cara GaN Substrate de C

CHINA GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Avión de la oblea de semiconductor del nitruro del galio 325um 375um C

Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN

2 pulgadas U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8m m

La sola O.N.U de la cara de Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C dopó el tipo de N

oblea de semiconductor del nitruro del galio de 50.8m m situación libre de 2 pulgadas

Situación libre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 milímetros 350 um

Sustrato de nitruro de galio SP Face 5 X 10 mm2 350um

Oblea epitaxial GaN de 5x10 mm2 Tipo SI no dopado

Oblea de nitruro de galio monocristalino de GaN tipo SI

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal