CHINA GaN Epitaxial Wafer

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  5*10mm2 SP-cara (20-21)/(20-2-1) N-tipo sin impurificar resistencia libre de GaN Single Crystal Substrate < 0,1 Ω·cm

  Dimensiones:² de 5 x de 10m m

  Grueso:350 ±25µm

  TTV:≤ el 10µm

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  N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre <0.1 Ω de la Uno-cara 5*10mm2·dispositivo de poder del cm/laser W

  Dimensiones:² de 5 x de 10m m

  Grueso:µm 350 ±25

  Orientación:Un avión (11-20) del ángulo hacia M-AXIS 0 aviones de ±0.5° A (11-20) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0

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  Sustratos de GaN independientes de 10 X 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm

  Nombre de producto:GaN Epitaxial Wafer

  Dimensiones:10x10,5 mm²

  Grueso:350 ±25µm

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  la C-cara 10*10.5mm2 FE-dopó el SI-tipo GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre > 10 el ⁶ Ω·Oblea de los radioinstrumentos del cm

  Dimensiones:10x10,5 mm²

  Grueso:350 ±25µm

  TTV:µm del ≤ 10

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  N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate libre de la C-cara 10 x 10,5 mm2

  Nombre de producto:Solo substrato cristalino de GaN

  Dimensiones:10x10,5 mm²

  Grueso:350 ±25µm

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