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GaN Epitaxial Wafer

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Solo substrato cristalino de GaN

Oblea epitaxial de GaN no dopada

Cara GaN Substrate de C

CHINA GaN Epitaxial Wafer

Wafer epitaxial de GaN esencial para la producción de chips de alta tensión y alta frecuencia

Tipo de vehículo::Zafiro plano

Polonés:Solo lado pulido (SSP)/lado doble pulido (DSP)

Dimensión:50.8±0,2 mm (2 pulgadas)/100±0,2 mm ((4 pulgadas)/150 +0,2 mm (6 pulgadas)
625um a 675um 4 pulgadas de LED azul nitruro de galio GaN Wafer epitaxial en zafiro SSP zafiro plano

Nombre del producto:azul del GaN-en-zafiro 4inch/oblea verde del LED

Tipo de producto:Zafiro plano

El grosor:650 ± los 25μm
GaN 2 pulgadas de Nitruro de Galio Substrato de cristal único

Cantidad de orden mínima:1

Detalles de empaquetado:Embalaje interior: caja de embalaje específica de la obletera, embalaje exterior: embalaje de caja d

Condiciones de pago:T/T
Un solo cristal Gan Epi Wafer Nitruro de galio Substrato 4 pulgadas

Cantidad de orden mínima:1

Detalles de empaquetado:Embalaje interior: caja de embalaje específica de la obletera, embalaje exterior: embalaje de caja d

Condiciones de pago:T/T
4 pulgadas de Nitruro de Galio GaN

Cantidad de orden mínima:1

Detalles de empaquetado:Embalaje interior: caja de embalaje específica de la obletera, embalaje exterior: embalaje de caja d

Condiciones de pago:T/T
GaN LED verde de 2 pulgadas en la dimensión de la oblea de silicio 520 ± 10 nm

Nombre de producto:Verde-LED GaN en la oblea de silicio

Tamaño:2 pulgadas 4 pulgadas

Estructura del substrato:111) substratos de 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (
5*10mm2 SP-cara (20-21)/(20-2-1) N-tipo sin impurificar resistencia libre de GaN Single Crystal Substrate < 0,05 Ω·cm

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm

TTV:≤ el 10µm
N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (11-12) < 0,1 Ω·dispositivo de poder del cm

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Orientación:avión (de 11-22) del ángulo hacia M-AXIS 0 aviones de ±0.5° (11-22) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2

TTV:≤ el 10µm
5*10 mm2 SP-Face (11-12) Tipo N no dopado GaN independiente Resistividad del sustrato de cristal único

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm

Orientación:avión (de 11-22) del ángulo hacia M-AXIS 0 aviones de ±0.5° (11-22) del ángulo hacia C-AXIS - 1 ±0.2
SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la M-cara 5*10mm2 > 10 ⁶ Ω·Oblea de los radioinstrumentos del cm

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm

Arco:- ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm
N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) < 0,05 Ω·cm

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm

TTV:≤ el 10µm
N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre <0.1 Ω de la SP-cara 5*10mm2 (10-11)·dispositivo de poder del cm

Dimensiones:² de 5 x de 10m m

Grueso:350 ±25µm

Orientación:(10- 11) ángulo de desviación del plano hacia el eje A 0 ±0,5° (10- 11) ángulo de desviación del pla

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Solo substrato cristalino de GaN

Oblea epitaxial de GaN no dopada

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625um a 675um 4 pulgadas de LED azul nitruro de galio GaN Wafer epitaxial en zafiro SSP zafiro plano

GaN 2 pulgadas de Nitruro de Galio Substrato de cristal único

Un solo cristal Gan Epi Wafer Nitruro de galio Substrato 4 pulgadas

4 pulgadas de Nitruro de Galio GaN

GaN LED verde de 2 pulgadas en la dimensión de la oblea de silicio 520 ± 10 nm

5*10mm2 SP-cara (20-21)/(20-2-1) N-tipo sin impurificar resistencia libre de GaN Single Crystal Substrate < 0,05 Ω·cm

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (11-12) < 0,1 Ω·dispositivo de poder del cm

5*10 mm2 SP-Face (11-12) Tipo N no dopado GaN independiente Resistividad del sustrato de cristal único

SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la M-cara 5*10mm2 > 10 ⁶ Ω·Oblea de los radioinstrumentos del cm

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) < 0,05 Ω·cm

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre <0.1 Ω de la SP-cara 5*10mm2 (10-11)·dispositivo de poder del cm

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal