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Substratos de GaN Rugosidad de la superficie de la cara de Ga < 0,2 nm (pulido) o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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Substratos de GaN Rugosidad de la superficie de la cara de Ga < 0,2 nm (pulido) o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)

Substratos de GaN Rugosidad de la superficie de la cara de Ga &lt; 0,2 nm (pulido) o &lt; 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)
Substratos de GaN Rugosidad de la superficie de la cara de Ga &lt; 0,2 nm (pulido) o &lt; 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)

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Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDCD-01-001-001
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000pcs/Month

Substratos de GaN Rugosidad de la superficie de la cara de Ga < 0,2 nm (pulido) o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)

descripción
Nombre de producto: Solo substrato cristalino de GaN Dimensiones: 10x10,5 mm²
Grueso: 350 ±25µm Orientación: Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,35 ±0,15°
TTV: ≤ el 10µm Densidad macra del defecto: ² 0cm⁻
Resaltar:

Tratamiento superficial de los sustratos de GaN

,

Substratos de GaN epitaxiados

,

Substrato de GaN pulido

10*10,5 mm² C-face Sustrato monocristalino de GaN independiente tipo n no dopado Resistividad < 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/láser

 


Descripción general
Proporcionamos sustratos de GaN de alta calidad que se producen mediante el método HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) diseñado originalmente, utilizando más de 10 años de experiencia en el negocio de epi-wafer de GaAsP.

 

Sustratos de GaN independientes de 10 x 10,5 mm2
Artículo GaN-FS-CU-S10 GaN-FS-CN-S10 GaN-FS-C-SI-S10

Substratos de GaN Rugosidad de la superficie de la cara de Ga < 0,2 nm (pulido) o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia) 0

Observaciones:
Se utiliza un ángulo de arco circular (R < 2 mm) para distinguir la cara Ga y N.

Dimensiones 10x10,5mm2
Espesor 350 ±25 micras
Orientación Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,35 ±0,15°
Tipo de conducción tipo N tipo N Semiaislante
Resistividad (300K) < 0,1 Ω·cm < 0,05 Ω·cm > 106Ω·cm
TTV ≤ 10 micras
Arco - 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidad de la superficie de la cara Ga < 0,2 nm (pulido)
o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)
Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 ~ 1,5 micras
opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido)
Densidad de dislocación Desde 1x105a 3 x 106cm-2(calculado por CL)*
Densidad de macrodefectos 0cm-2
Área utilizable > 90% (exclusión de bordes)
Paquete Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un contenedor de 6 PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno

*Estándares nacionales de China (GB/T32282-2015)

 

 

Substratos de GaN Rugosidad de la superficie de la cara de Ga < 0,2 nm (pulido) o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia) 1

 

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

 

 

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
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Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
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Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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