CHINA oblea de silicio

Dopante de boro tipo P de oblea de silicio de 0,001-100 ohm-cm

Diámetro:2"

Grado:Primero

Método del crecimiento:CZ
Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada

Método del crecimiento:CZ

Diámetro:2"

Grado:Primero
2" primero μm estándar <10 Capabilities<5um máximo de la oblea de silicio

Diámetro:2"

Grado:Primero

Método del crecimiento:CZ
Sustrato primario de oblea epitaxial de silicio microelectrónico 279um

Grado:Primero

Método del crecimiento:CZ

Tipo/dopante:Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Tipo oblea de silicio de Phos 3" de N grueso 279um 380um 525um 625um

Tipo/dopante:Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb

Espesor (μm):279

Tolerancia del grueso:± estándar los 25μm, ± máximo los 5μm de las capacidades
4" 5" 6" tipo de la oblea P del Si/tipo del boro N/como tipo/Sb de N

Diámetro:2"

Grado:Primero

Método del crecimiento:CZ
Oblea de silicio de la CZ del método del crecimiento 5" orientación <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>

Diámetro:2"

Grado:Primero

Método del crecimiento:CZ
Dispositivos semiconductores Oblea de sustrato de silicio de 2 pulgadas 8'' 12''

Diámetro:2"

Grado:Primero

Método del crecimiento:CZ
Tipo tipo de N del Sb N como oblea de silicio 6 pulgadas 8 pulgadas

Método del crecimiento:CZ

Orientación:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Tipo/dopante:Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Oblea de semiconductor del silicio de la CZ 380um 525um 625um

Orientación:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Espesor (μm):279

Tolerancia del grueso:± estándar los 25μm, ± máximo los 5μm de las capacidades
Tipo tipo Phos de la oblea de silicio de 12 pulgadas P del boro N

Diámetro:12"

Grado:Primero

Método del crecimiento:CZ
El silicio superficie de la oblea de 8 pulgadas acabó P/P P/E E/E.G. /G

Diámetro:8"

Grado:Primero

Método del crecimiento:CZ

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oblea de silicio

CHINA oblea de silicio

Dopante de boro tipo P de oblea de silicio de 0,001-100 ohm-cm

Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada

2" primero μm estándar <10 Capabilities<5um máximo de la oblea de silicio

Sustrato primario de oblea epitaxial de silicio microelectrónico 279um

Tipo oblea de silicio de Phos 3" de N grueso 279um 380um 525um 625um

4" 5" 6" tipo de la oblea P del Si/tipo del boro N/como tipo/Sb de N

Oblea de silicio de la CZ del método del crecimiento 5" orientación <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>

Dispositivos semiconductores Oblea de sustrato de silicio de 2 pulgadas 8'' 12''

Tipo tipo de N del Sb N como oblea de silicio 6 pulgadas 8 pulgadas

Oblea de semiconductor del silicio de la CZ 380um 525um 625um

Tipo tipo Phos de la oblea de silicio de 12 pulgadas P del boro N

El silicio superficie de la oblea de 8 pulgadas acabó P/P P/E E/E.G. /G

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal