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oblea de silicio

CHINA oblea de silicio

Dispositivos discretos Espesor de oblea de silicio de 2 pulgadas 675um 725um 775um

Diámetro:2"

Grado:Primero

Método del crecimiento:CZ
775um 725um 675um dispositivos de semiconductor de la oblea de 8 pulgadas

Diámetro:2"

Grado:Primero

Método del crecimiento:CZ
Espesor de oblea de silicio semiconductor de 2'' 279 μm

Diámetro:2"

Orientación:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Tipo/dopante:Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Dispositivos MEMS Sustratos de silicio Circuitos integrados dedicados

Diámetro:2"

Grado:Primero

Método del crecimiento:CZ
Dispositivos de la oblea de silicio de JDCD06-001-003 4-Inch MEMS, circuitos integrados, substratos dedicados para los dispositivos discretos

Diámetro:4"

Grado:Primero

Método del crecimiento:CZ
JDCD06-001-002 Dispositivos MEMS de oblea de silicio de 3 pulgadas, circuitos integrados, sustratos dedicados para dispositivos discretos

Diámetro:3"

Grado:Primero

Método del crecimiento:CZ
Proceso de JDCD07-001-003 6-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS

Orientación:<100>,<111>

Tipo/dopante:Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb

Espesor (μm):300-725
JDCD07-001-004 oblea epitaxial SOI de 7 pulgadas para procesamiento MEMS

Diámetro:7"

Orientación:<100>,<111>

Tipo/dopante:Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Proceso de JDCD07-001-002 5-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS

Orientación:<100>,<111>

Tipo/dopante:Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb

La uniformidad:<5>
JDCD07-001-001 oblea epitaxial SOI de 4 pulgadas para procesamiento MEMS

Diámetro:4"

Orientación:<100>,<111>

Tipo/dopante:Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Dispositivos de la oblea de silicio de JDCD06-001-007 12-Inch MEMS, circuitos integrados, substratos dedicados para los dispositivos discretos

Diámetro:12"

Grado:Primero

Método del crecimiento:CZ
JDCD06-001-006 Dispositivos MEMS de oblea de silicio de 8 pulgadas, circuitos integrados, sustratos dedicados para dispositivos discretos

Diámetro:8"

Grado:Primero

Método del crecimiento:CZ

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oblea de silicio

CHINA oblea de silicio

Dispositivos discretos Espesor de oblea de silicio de 2 pulgadas 675um 725um 775um

775um 725um 675um dispositivos de semiconductor de la oblea de 8 pulgadas

Espesor de oblea de silicio semiconductor de 2'' 279 μm

Dispositivos MEMS Sustratos de silicio Circuitos integrados dedicados

Dispositivos de la oblea de silicio de JDCD06-001-003 4-Inch MEMS, circuitos integrados, substratos dedicados para los dispositivos discretos

JDCD06-001-002 Dispositivos MEMS de oblea de silicio de 3 pulgadas, circuitos integrados, sustratos dedicados para dispositivos discretos

Proceso de JDCD07-001-003 6-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS

JDCD07-001-004 oblea epitaxial SOI de 7 pulgadas para procesamiento MEMS

Proceso de JDCD07-001-002 5-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS

JDCD07-001-001 oblea epitaxial SOI de 4 pulgadas para procesamiento MEMS

Dispositivos de la oblea de silicio de JDCD06-001-007 12-Inch MEMS, circuitos integrados, substratos dedicados para los dispositivos discretos

JDCD06-001-006 Dispositivos MEMS de oblea de silicio de 8 pulgadas, circuitos integrados, sustratos dedicados para dispositivos discretos

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal