JDCD06-001-005 Wafer de silicio de 6 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos

Name: JDCD06-001-005 Wafer de silicio de 6 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD06-001-005
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Certificación

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones

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JDCD06-001-005 Wafer de silicio de 6 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos

Ampliación de imagen : JDCD06-001-005 Wafer de silicio de 6 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos

Datos del producto:

Lugar de origen:	Suzhou China
Nombre de la marca:	GaNova
Certificación:	UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo:	JDCD06-001-005

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1
Detalles de empaquetado:	Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Tiempo de entrega:	3-4 días de la semana
Condiciones de pago:	T/T
Capacidad de la fuente:	50000pcs/month

Contacto

JDCD06-001-005 Wafer de silicio de 6 pulgadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos

descripción

Diámetro:	6"	Grado:	Primero
Método del crecimiento:	CZ	Orientación:	<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/dopante:	Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb	Espesor (μm):	675
Tolerancia del grueso:	± estándar los 25μm, ± máximo los 5μm de las capacidades	resistencia:	0.001-100 ohmio-cm
Superficial acabado:	P/E, P/P, E/E, G/G	TTV (μm):	<10 estándar um, Capabilities<5 máximo um
Arco/deformación:	<40 estándar um, Capabilities<20 máximo um	Partícula:	<10>
Resaltar:	Circuitos integrados Wafer de silicio , Discreto de los Dispositivos de Wafer de silicio , oblea de silicio

dispositivos de la oblea de silicio 6-inch MEMS, circuitos integrados, substratos dedicados para los dispositivos discretos

Descripción

El silicio típicamente se encuentra compuesto con otros elementos. Los elementos del silicio pueden atar los átomos firmemente y en arreglos complejos. La abundancia de silicio hace barato y fácil adquirir. Ésta es la razón más grande por la que el silicio es el material más ampliamente utilizado del semiconductor.

Especificación

oblea de silicio
Diámetro	2"/3"/4"/5"/6"/8"/12"
Grado	Primero
Método del crecimiento	CZ
Orientación	<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>
Tipo/dopante	Tipo de P/boro, tipo de N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Grueso (μm)	279/380/525/625/675/725/775
Tolerancia del grueso	± estándar los 25μm, ± máximo los 5μm de Capabilit/IES
Resistencia	0.001-100 ohmio-cm
Superficial acabado	P/E, P/P, E/E, G/G
TTV (μm)	Estándar <10 um="">
Arco/deformación	Estándar <40 um="">
Partícula	<10>

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
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Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
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etiqueta:

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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Grado: Primero

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Substratos discretos superficie P/E de P/P E del Si de los dispositivos/del E.G. /G acabada

Método del crecimiento: CZ

Diámetro: 2"

Grado: Primero

Orientación: <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

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Diámetro: 2"

Grado: Primero

Método del crecimiento: CZ

resistencia: 0.001-100 ohmio-cm

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Grado: Primero

Método del crecimiento: CZ

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Espesor (μm): 279

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GaN Epitaxial Wafer

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