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n type silicon epi wafer fabricación en línea

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Sustrato primario de oblea epitaxial de silicio microelectrónico 279um
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2022-09-27 16:51:53

Espesor de oblea de silicio semiconductor de 2'' 279 μm
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2022-09-27 16:54:31

Pulgada GaN Epi Wafer Dimensions del grueso 370um 430um 2 50m m
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2023-02-17 17:52:26

6 pulgadas 4H SiC Sustrato N Tipo P SBD Grado 350 μm
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2022-10-24 10:23:04

4H oblea sic epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm del cm ≤4000/cm
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2023-02-17 15:19:25

Oblea epitaxial GaN de 5x10 mm2 Tipo SI no dopado
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2023-02-17 17:53:35

LED de sustrato de arseniuro de galio para comunicaciones ópticas
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2022-10-09 09:53:08

Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF
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2024-07-31 15:01:27

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal