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Datos del producto:
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| Las dimensiones: | 2 pulgadas | Resistencia ((300K): | < 350 Ω/□ |
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| Concentración de electrones: | > 9,0E12 cm-2 | Movilidad: | Se aplican las condiciones siguientes: |
| Resaltar: | Ojal epitaxial de 4 pulgadas,Wafer de 4 pulgadas de epi,Wafers de 4 pulgadas de epi |
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Introducción al GaN en la oblea de silicio HEMT Epi
La oblea epitaxial HEMT de nitruro de galio a base de silicio es una oblea epitaxial de transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) basada en material de nitruro de galio (GaN).Su estructura incluye principalmente la capa de barrera de AlGaNEsta estructura permite a los HEMT de nitruro de galio tener una alta movilidad de electrones y velocidad de saturación de electrones,que los hace adecuados para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.
Características estructurales
Heterojunción AlGaN/GaN: el Nitruro de Galio HEMT se basa en la heterojunción AlGaN/GaN, que forma un canal bidimensional de gas electrónico de alta movilidad electrónica (2DEG) a través de la heterojunción.
Tipo de agotamiento y tipo de mejora: las obleas epitaxiales HEMT de nitruro de galio se dividen en tipo de agotamiento (modo D) y tipo de mejora (modo E).El tipo agotado es el estado natural de los dispositivos de alimentación de GaN, mientras que el tipo mejorado requiere procesos especiales para lograrlo.
Proceso de crecimiento epitaxial: El crecimiento epitaxial incluye la capa de nucleación de AlN, la capa de amortiguador de relajación del estrés, la capa de canal de GaN, la capa de barrera de AlGaN y la capa de tapa de GaN.
proceso de fabricación
Crecimiento epitaxial: Crecimiento de una o más capas de películas delgadas de nitruro de galio en un sustrato de silicio para formar obleas epitaxiales de alta calidad.
Capa de pasivación y tapa: La capa de pasivación de SiN y la capa de tapa de u-GaN se utilizan generalmente en obleas epitaxiales de nitruro de galio para mejorar la calidad de la superficie y proteger las obleas epitaxiales.
área de aplicación
Aplicaciones de alta frecuencia: debido a la alta movilidad de electrones y velocidad de saturación de los electrones de los materiales de nitruro de galio,Los HEMT de nitruro de galio son adecuados para aplicaciones de alta frecuencia como la comunicación 5G., radar y comunicaciones por satélite.
Aplicaciones de alta potencia: los HEMT de nitruro de galio funcionan bien en aplicaciones de alto voltaje y alta potencia, adecuadas para campos como vehículos eléctricos, inversores solares y fuentes de alimentación industriales.
Especificaciones del producto
| Epi-wafer con GaN sobre silicio HEMT | ||||||
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Punto de trabajo Substrato de Si (Si) |
Al ((Ga) N | Reserva de recursos humanos | GaN_Canal | Barrera de algaN | GaN_cap | |
| Las dimensiones | 2 pulgadas/4 pulgadas/6 pulgadas | |||||
| El grosor | 500-800 nm | 3 mil millas | 150 nm | 18-25nm | 2nm | |
| Composición | Al% | / | / | / | 20 a 23 | / |
| En % | / | / | / | / | / | |
| El dopaje | [Si] | / | / | / | / | / |
| [Mg] | / | / | / | / | / | |
| Resistencia ((300K) | < 350 Ω/□ | |||||
| Concentración de electrones | > 9,0E12 cm-2 | |||||
| Movilidad | Se aplican las condiciones siguientes: | |||||
| Estructura del sustrato | Las sustancias químicas que pueden ser utilizadas para la obtención de los resultados de ensayo son las siguientes: | |||||
| Paquete | Embalado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un recipiente de 25 PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno | |||||
Sobre nosotros
Nos especializamos en procesar una variedad de materiales en obleas, sustratos y componentes de vidrio óptico personalizados ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando estrechamente con muchas universidades nacionales y extranjeras., instituciones de investigación y empresas, proporcionan productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Es nuestra visión mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes por nuestra buena reputación.
Preguntas frecuentes
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Somos una fábrica.
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