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n type sic epitaxial wafer fabricación en línea

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oblea sic epitaxial 6inch
Contacto

2022-10-09 16:56:20

47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros
Contacto

2023-02-17 15:11:59

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del cm
Contacto

2023-02-17 15:51:34

4H oblea sic epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm del cm ≤4000/cm
Contacto

2023-02-17 15:19:25

Sic tipo substrato de N
Contacto

2022-10-09 16:57:15

6 pulgadas 4H SiC Sustrato N Tipo P SBD Grado 350 μm
Contacto

2022-10-24 10:23:04

Sustrato tipo N SiC 4H de 6 pulgadas, 47,5 mm, sin plano secundario
Contacto

2022-10-24 10:26:17

6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um
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2022-10-24 10:21:10

N Tipo 6 pulgadas 4H Sustrato de carburo de silicio Longitud plana primaria 47,5 mm
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2022-10-24 10:22:34

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI
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2023-03-22 16:09:10

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el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI
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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal