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47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros

47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to&lt;11-20&gt;±1° paralelo de 1,5 milímetros
47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to<11-20>±1°
47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to&lt;11-20&gt;±1° paralelo de 1,5 milímetros 47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to&lt;11-20&gt;±1° paralelo de 1,5 milímetros

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Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDCD03-001-003
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana
Condiciones de pago: T/T

47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros

descripción
Nombre de producto: Oblea sic epitaxial Diámetro: 150.0m m +0mm/-0.2mm
Orientación superficial: De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5 Longitud plana primaria: ± 1.5m m de 47.5m m
Longitud plana secundaria: Ningún plano secundario Orientación plana primaria: To<11-20>±1° paralelo
Misorientation ortogonal: ±5.0° Exclusión del borde: 3m m
Resaltar:

oblea sic epitaxial de 446m m

,

Oblea de silicio epitaxial de 4 H

,

Oblea sic epitaxial de UKAS

47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to±1° paralelo de 1,5 milímetros<11-20>

JDCD03-001-003

Descripción

Actualmente, hay dos tipos principales sic de obleas. El primer tipo es la oblea pulida, que es un solo disco del carburo de silicio. Se hace sic de cristales de gran pureza, y puede ser 100m m o 150m m en diámetro. Se utiliza en electrónica de alta potencia. El segundo tipo es la oblea cristalina epitaxial del carburo de silicio. Este tipo de oblea es creado añadiendo capas de solos cristales del carburo de silicio a una superficie. Este método requiere el control exacto del grueso del material, y se refiere como n-tipo epitaxia.

Propiedad

Grado P-MOS Grado de P-SBD Grado de D
Crystal Form 4H
Polytype Ningunos permitieron El Area≤5%
(MPD) a ≤0.2 /cm2 ≤0.5 /cm2 ≤5 /cm2
Placas del hex. Ningunos permitieron El Area≤5%
Polycrystal hexagonal Ningunos permitieron
Inclusiones a El Area≤0.05% El Area≤0.05% N/A
Resistencia 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) a ≤4000/cm2 ≤8000/cm2 N/A
(TED) a ≤3000/cm2 ≤6000/cm2 N/A
(BPD) a ≤1000/cm2 ≤2000/cm2 N/A
(TSD) a ≤600/cm2 ≤1000/cm2 N/A
Falta de amontonamiento Área del ≤0.5% Área del ≤1% N/A

Contaminación de metal superficial

(Al, Cr, FE, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganeso) ≤1E11 cm-2

Diámetro 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm
Orientación superficial De fuera del eje: ° <11-20>de 4°toward ±0.5
Longitud plana primaria 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros
Longitud plana secundaria Ningún plano secundario
Orientación plana primaria To±1° paralelo<11-20>
Orientación plana secundaria N/A
Misorientation ortogonal ±5.0°
Final superficial C-cara: Polaco óptico, Si-cara: CMP
Borde de la oblea El biselar

Aspereza superficial

(el 10μm×10μm)

Cara Ra≤0.20 nanómetro del Si; Cara Ra≤0.50 nanómetro de C
Grueso a μm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10m m) a ≤2μm ≤3μm
(TTV) a ≤6μm ≤10μm
(ARCO) a ≤15μm ≤25μm ≤40μm
(Deformación) a ≤25μm ≤40μm ≤60μm
Microprocesadores/mellas Ningunos permitieron anchura y profundidad de ≥0.5mm Anchura y profundidad de Qty.2 ≤1.0 milímetro

Rasguños a

(Cara del Si, CS8520)

≤5 y diámetro acumulativo de Length≤0.5×Wafer

≤5 y Length≤1.5×Wafer acumulativo

Diámetro

TUA (2mm*2m m) el ≥98% el ≥95% N/A
Grietas Ningunos permitieron
Contaminación Ningunos permitieron
Propiedad Grado P-MOS Grado de P-SBD Grado de D
Exclusión del borde 3m m

Observación: la exclusión del borde de 3m m se utiliza para los artículos marcados con el A.

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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