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0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del cm
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2023-02-17 15:51:34

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal
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2022-10-24 10:26:24

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI
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2023-03-22 16:09:10

Sustrato epitaxial de la oblea de SiC de la oblea de 4H SiC para los dispositivos fotónicos ISO9001
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2022-10-25 14:35:48

47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros
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2023-02-17 15:11:59

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal
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2022-10-24 10:20:57

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um
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2022-10-24 10:21:01

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um
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2022-10-24 10:21:37

4H oblea sic epitaxial ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm
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2023-02-17 15:17:12

Oblea epitaxial de SiC de 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
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2022-10-24 10:23:40

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