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Datos del producto:
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| Nombre de producto: | Oblea sic epitaxial | Crystal Form: | 4h |
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| Diámetro: | 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm | Orientación superficial: | De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5 |
| Contaminación de superficies metálicas: | (Al, Cr, FE, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganeso) cm2s ≤1E11 | Orientación plana primaria: | To<11-20>±1° paralelo |
| Resaltar: | Dispositivos fotónicos de oblea epitaxial SiC,oblea 4H de 2 pulgadas,oblea epitaxial SiC ISO9001 |
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Oblea epitaxial 4H SiC ≤0,2 /Cm2 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
JDCD03-001-004
Descripción general
Una oblea epitaixal es una oblea de material semiconductor hecho por crecimiento epitaxial (llamado epitaxia) para su uso en la fabricación de dispositivos fotónicos y semiconductores como diodos emisores de luz (LED).Actualmente se utilizan varios métodos para hacer crecer la capa epitaxial sobre silicio existente u otras obleas: deposición de vapor químico orgánico metálico (MOCVD) y epitaxia de haz molecular (MBE), LPE, HVPE.
| Propiedad | Grado P-MOS | Grado P-SBD | Grado D |
| forma de cristal | 4H | ||
| politipo | Ninguno permitido | Área≤5% | |
| (MPD)a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 |
| Placas hexagonales | Ninguno permitido | Área≤5% | |
| Policristal Hexagonal | Ninguno permitido | ||
| Inclusionesa | Área≤0.05% | Área≤0.05% | N / A |
| Resistividad | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,014 Ω•cm—0,028 Ω•cm |
| (EPD)a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm32 | N / A |
| (TED)a | ≤3000/cm32 | ≤6000/cm32 | N / A |
| (DBP)a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N / A |
| (TSD)a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N / A |
| Error de apilamiento | ≤0.5% Área | ≤1% Área | N / A |
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Contaminación de superficies metálicas |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2 |
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| Diámetro | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm | ||
| Orientación de la superficie | Fuera del eje: 4 ° hacia <11-20> ± 0,5 ° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| Longitud plana secundaria | Sin Piso Secundario | ||
| Orientación plana primaria | Paralelo a<11-20>±1° | ||
| Orientación plana secundaria | N / A | ||
| Desorientación ortogonal | ±5,0° | ||
| Acabado de la superficie | Cara C: Pulido óptico, Cara Si: CMP | ||
| borde de la oblea | biselado | ||
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Rugosidad de la superficie (10 μm × 10 μm) |
Cara Si Ra≤0,20 nm ； Cara C Ra≤0,50 nm | ||
| Espesora | 350,0 μm± 25,0 μm | ||
| LTV (10 mm × 10 mm)a | ≤2 μm | ≤3 μm | |
| (TTV)a | ≤6 μm | ≤10 μm | |
| (ARCO)a | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤40 μm |
| (Deformación)a | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤60 μm |
| Fichas/Sangrías | Ninguno permitido ≥0,5 mm de ancho y profundidad | Cant.2 ≤1,0 mm de ancho y profundidad | |
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Arañazosa (Si cara, CS8520) |
≤5 y longitud acumulada≤0,5×diámetro de la oblea |
≤5 y longitud acumulada≤1,5 × oblea Diámetro |
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| TUA (2 mm * 2 mm) | ≥98% | ≥95% | N / A |
| Grietas | Ninguno permitido | ||
| Contaminación | Ninguno permitido | ||
| Propiedad | Grado P-MOS | Grado P-SBD | Grado D |
| Exclusión de borde | 3 mm | ||
Observación: se utiliza una exclusión de borde de 3 mm para los elementos marcados cona.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
Preguntas más frecuentes
P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de la cantidad.
P: ¿Proporcionan muestras?¿Es gratis o extra?
Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
P: ¿Cuáles son sus condiciones de pago?
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