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Oblea sic epitaxial

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Sustrato 350um 4H SiC

Sic tipo substrato de N

oblea sic epitaxial 6inch

CHINA Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Orientación superficial:De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5

Polytype:Ningunos permitieron
6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um

Nombre de producto:Sustrato de SiC

Crystal Form:4h

Diámetro:150.0mm+0mm/-0.2m m
borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Crystal Form:4h

Borde de la oblea:el biselar
Tipo 6inch 4H del SI del nivel P sic semi que aísla el substrato 150m m

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Crystal Form:4h

Diámetro:150,0 mm+0,0/-0,2 mm
el P-MOS sic epitaxial de la oblea 4H califica 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Diámetro:150.0m m +0mm/-0.2mm

Orientación superficial:De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5
Sustrato semiaislante de oblea SiC de 150 mm y 4H, 6 pulgadas, 350 μm

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Crystal Form:4h

Diámetro:150,0 mm+0,0/-0,2 mm
oblea sic epitaxial de 150.0m m +0mm/-0.2mm ningún plano secundario 3m m

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Diámetro:150.0m m +0mm/-0.2mm

Orientación superficial:De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5
N Tipo 6 pulgadas 4H Sustrato de carburo de silicio Longitud plana primaria 47,5 mm

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Crystal Form:4h

Diámetro:150,0 mm+0,0/-0,2 mm
47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Diámetro:150.0m m +0mm/-0.2mm

Orientación superficial:De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5
6 pulgadas 4H SiC Sustrato N Tipo P SBD Grado 350 μm

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Crystal Form:4h

Diámetro:150.0m m +0mm/-0.2mm
4H oblea sic epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm del cm ≤4000/cm

Nombre de producto:Oblea sic epitaxial

Diámetro:150.0m m +0mm/-0.2mm

Orientación superficial:De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5
Sustrato de SiC de nivel P de 2 pulgadas para dispositivos de potencia y dispositivos de microondas

Crystal Form:4H-N/S

Nombre de producto:especificación del substrato del carburo del diameterSilicon 2inch (sic)

Diámetro:50.8mm±0.38m m

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Oblea sic epitaxial

Sustrato 350um 4H SiC

Sic tipo substrato de N

oblea sic epitaxial 6inch

CHINA Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

Tipo 6inch 4H del SI del nivel P sic semi que aísla el substrato 150m m

el P-MOS sic epitaxial de la oblea 4H califica 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros

Sustrato semiaislante de oblea SiC de 150 mm y 4H, 6 pulgadas, 350 μm

oblea sic epitaxial de 150.0m m +0mm/-0.2mm ningún plano secundario 3m m

N Tipo 6 pulgadas 4H Sustrato de carburo de silicio Longitud plana primaria 47,5 mm

47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros

6 pulgadas 4H SiC Sustrato N Tipo P SBD Grado 350 μm

4H oblea sic epitaxial 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm del cm ≤4000/cm

Sustrato de SiC de nivel P de 2 pulgadas para dispositivos de potencia y dispositivos de microondas

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal