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Oblea sic epitaxial

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4 pulgadas de UGaN en nitruro de galio sin dopaje de silicio en la oblea epitaxial de silicio

Dimensión:4inch

Bicristalino002:< 550 segundos de arco

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4 pulgadas de GaN en el silicona verde LED Epi oblea SiC oblea epitaxial

Cantidad de orden mínima:5

Precio:1000

Detalles de empaquetado:Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en el envase 25PCS, bajo atmósfera del
4 pulgadas de GaN en el silicona verde LED Epi oblea SiC oblea epitaxial

Cantidad de orden mínima:5

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Sobre

GaN Epitaxial Wafer: el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI; El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm; Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial: Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um; borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um; CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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