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4 pulgadas de UGaN en nitruro de galio sin dopaje de silicio en la oblea epitaxial de silicio

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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4 pulgadas de UGaN en nitruro de galio sin dopaje de silicio en la oblea epitaxial de silicio

4 pulgadas de UGaN en nitruro de galio sin dopaje de silicio en la oblea epitaxial de silicio
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Ampliación de imagen :  4 pulgadas de UGaN en nitruro de galio sin dopaje de silicio en la oblea epitaxial de silicio

Datos del producto:
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: Ganova
Número de modelo: Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 5
Precio: 1000
Detalles de empaquetado: Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en el envase 25PCS, bajo atmósfera del
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000 piezas al mes

4 pulgadas de UGaN en nitruro de galio sin dopaje de silicio en la oblea epitaxial de silicio

descripción
Dimensión: 4inch Bicristalino002: < 550 segundos de arco
Bicristalino102: < 550 segundos de arco
Resaltar:

Ojal epitaxial de 4 pulgadas

,

Wafer de 4 pulgadas de epi

,

Wafers de 4 pulgadas de epi

Introducción a lasGaN en la oblea de Epi LED verde de silicio
GaN en Silicon Green LED Epi wafer son estructuras semiconductoras formadas en materiales de sustrato de silicio a través de tecnología de crecimiento epitaxial para la fabricación de diodos emisores de luz verde (LED).Es un material intermedio clave en la fabricación de chips LED, y su estructura y rendimiento afectan directamente la eficiencia luminosa, la longitud de onda y otras características del dispositivo LED final.
área de aplicación
Tecnología de visualizaciónEn el campo de las pantallas de pantalla a todo color, las obleas epitaxiales LED verdes a base de silicio se utilizan para fabricar píxeles verdes,que junto con los píxeles LED rojos y azules forman la unidad básica de la pantalla a colorSu excelente uniformidad de longitud de onda y su alta eficiencia luminosa pueden lograr pantallas de visualización de alta resolución y alta saturación de color.en la fabricación de pantallas LED de pequeño paso y de pantallas micro-LED, las obleas epitaxiales LED verdes a base de silicio desempeñan un papel importante y pueden utilizarse para pantallas de alta definición interiores y exteriores, pantallas de dispositivos de realidad virtual (RV) /realidad aumentada (RA),y otros escenarios.
Campo de iluminación:Como componente importante de las fuentes de iluminación verde, las obleas epitaxiales de LED verde a base de silicio se pueden utilizar para fabricar accesorios de iluminación con alta representación de color.mediante la combinación con otros LED de color, la temperatura del color y las funciones de ajuste del color se pueden lograr para satisfacer las necesidades de iluminación de diferentes escenarios, como la iluminación del hogar, la iluminación comercial, la iluminación del automóvil, etc.
Comunicación óptica:En la tecnología de comunicación óptica de luz visible (VLC), el LED verde se puede utilizar como fuente de emisión de señal.El rendimiento de modulación de alta velocidad y la alta eficiencia luminosa de las obleas epitaxiales de LED verde a base de silicio son propicios para lograr una comunicación de luz visible de alta velocidad y eficiente, y puede aplicarse en la transmisión de datos de alta velocidad en interiores, la comunicación de vehículo a vehículo en sistemas de transporte inteligentes y otros escenarios.


Especificaciones del producto

 

4 pulgadas de UGaN en silicio

Punto de trabajo

Substrato de Si (Si)

Al ((Ga) N UGAN
Dimensión 4 pulgadas
El grosor 800-1000 nm 800-1000 nm
Composición Al% / /
En % / /
El dopaje [Si] / /
[Mg] / /
Bicristalino002 < 550 segundos de arco
Bicristalino102 < 550 segundos de arco
Estructura del sustrato Las sustancias químicas que se utilizan en la fabricación de los substratos para la fabricación de los substratos para la fabricación de los substratos para la fabricación de los substratos para la fabricación de los substratos para la fabricación de los substratos para la fabricación de los substratos para la fabricación de los substratos.
La rugosidad de la superficie < 0,8 nm en 5 μm*5 μm
Paquete Embalado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un recipiente de 25 PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


Sobre nosotros

Nos especializamos en procesar una variedad de materiales en obleas, sustratos y componentes de vidrio óptico personalizados ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando estrechamente con muchas universidades nacionales y extranjeras., instituciones de investigación y empresas, proporcionan productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Es nuestra visión mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes por nuestra buena reputación.

 

4 pulgadas de UGaN en nitruro de galio sin dopaje de silicio en la oblea epitaxial de silicio 04 pulgadas de UGaN en nitruro de galio sin dopaje de silicio en la oblea epitaxial de silicio 1


Cuota de mercado

P: ¿ Es usted una empresa comercial o un fabricante?
Somos una fábrica.
P: ¿Cuánto dura su plazo de entrega?
Generalmente son 3-5 días si los productos están en stock.
o 7-10 días si las mercancías no están en stock, depende de la cantidad.
P: ¿ Proporciona muestras? ¿ Es gratis o extra?
Sí, podríamos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagar el costo de flete.
P: ¿ Cuáles son sus términos de pago?
Pago <= 5000USD, 100% por adelantado.
Pagador >=5000USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

 

Transporte

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Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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