CHINA Cristal del carburo de silicio

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  Cristal plano primario 4" del carburo de silicio de la longitud 32.5m m grado 100.0m m de P

  politipo:4h

  Diámetro:100,0 mm±0,5 mm

  Tipo del portador:N-TYPE

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  4H Politype solo Crystal Silicon Carbide 4" cara del Si del grado de P

  politipo:4h

  Diámetro:100,0 mm±0,5 mm

  Orientación:4,0°±0,2°

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  0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm Cristal de carburo de silicio tipo N

  Tipo del portador:N-TYPE

  resistencia:los 0.015~0.028ohm.cm

  Orientación:4,0°±0,2°

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  cristal 4" del carburo de silicio de 100.0m m grado 18.0m m de P

  politipo:4h

  Diámetro:100,0 mm±0,5 mm

  Tipo del portador:N-TYPE

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  cristal 4" del carburo de silicio de 100.0m m grado Politype 4H de P

  politipo:4h

  Diámetro:100,0 mm±0,5 mm

  Tipo del portador:N-TYPE

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  Resistividad de cristal de carburo de silicio de grado P de 4" 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm

  politipo:4h

  Tipo del portador:N-TYPE

  resistencia:los 0.015~0.028ohm.cm

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  JDZJ01-001-006 Cristal de semillas de SiC de grado S de 6" Φ153±0,5 mm

  Deformación (μm):≤50μm

  Diámetro:153±0,5 mm

  Longitud del borde de posicionamiento principal:8,0±2,0

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  Sic cristal 4" del lingote JDZJ01-001-002 grado de D

  politipo:4h

  Diámetro:100,0 mm±0,5 mm

  Tipo del portador:N-TYPE

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  JDZJ01-001-008 Cristal de semilla SiC de 4 y 6 pulgadas

  politipo:4h

  Diámetro:105±0,5 mm

  Grueso:500±50μm

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  Cristal de semilla del carburo de silicio JDZJ01-001-007

  Diámetro:105±0,5 mm

  Tipo del portador:500±50μm

  TTV:≤15μm

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  Sic el cristal de semilla JDZJ01-001-005 S califica 6" el grado φ153±0.5mm de S

  Deformación (μm):≤50μm

  Diámetro:153±0,5 mm

  Grueso:500±50mm

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  JDZJ01-001-004 SiC Lingote Cristal 6" Grado P

  politipo:4h

  Diámetro:150,0 mm±0,5 mm

  Tipo del portador:N-TYPE

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