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Cristal de semilla del carburo de silicio JDZJ01-001-007

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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Cristal de semilla del carburo de silicio JDZJ01-001-007

Cristal de semilla del carburo de silicio JDZJ01-001-007
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Ampliación de imagen :  Cristal de semilla del carburo de silicio JDZJ01-001-007

Datos del producto:
Número de modelo: JDZJ01-001-007
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Empaquetado en una sala limpia en un contenedor de semillas individuales
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana

Cristal de semilla del carburo de silicio JDZJ01-001-007

descripción
Diámetro: 105±0,5 mm Tipo del portador: 500±50μm
TTV: ≤15μm Arco (μm) /Warp (μm): ≤45
Orientación cristalina: 4°off-axis toward<11-20>±0.5° Longitud del borde de posicionamiento principal: 32,5±2,0
Longitud de grados de subposición: 18,0±2,0 resistencia: 0.01~0.028Ω·cm
Resaltar:

Cristales de semillas de carburo de silicio

Cristal de semilla del carburo de silicio JDZJ01-001-007

Los dispositivos electrónicos formaron en sic pueden actuar en extremadamente las temperaturas altas sin el sufrimiento desde efectos intrínsecos de la conducción porque del bandgap ancho de la energía. También, esta propiedad permite sic emitir y detectar la luz corta de la longitud de onda que hace la fabricación de bluelight que emite los diodos y los fotodetectores ULTRAVIOLETA ciegos casi solares posibles.

4&6inch sic siembran cristalino
Grado Nivel S Nivel S
Especificaciones del cristal de semilla 6" sic 6" sic
Diámetro (milímetros) 105±0.5 153±0.5
Grueso (μm) 500±50 350±20 o 500±50
TTV (μm) ≤15 ≤15
Arco (μm) /Warp (μm) ≤45 ≤60
Orientación cristalina 4°off-axis toward±0.5°<11-20> 4°off-axis toward±0.5°<11-20>
Longitud de colocación principal del borde 32.5±2.0 18.0±2.0
Longitud del dege de Subposition 18.0±2.0 6.0±2.0
Colocación de la dirección del borde

Cara del Si: gire a la derecha a lo largo del lado de colocación principal: 90°±5°

Cara de C: gire a la izquierda a lo largo del lado de colocación principal: 90°±5°

Cara del Si: gire a la derecha a lo largo del lado de colocación principal: 90°±5°

Cara de C: gire a la izquierda a lo largo del lado de colocación principal: 90°±5°

Resistencia 0.01~0.028Ω·cm 0.01~0.028Ω·cm
Aspereza superficial SSP, cara que pule, Ra≤1.0nm de C DSP, cara Ra≤1.0nm de C
Solo diámetro cristalino de la zona (milímetros) ≥102mm ≥150mm
Densidad del Microtubule ≤1/cm2 ≤1/cm2
Lado del hundimiento ≤1mm ≤2mm
Método de empaquetado Embalaje de la pieza única Embalaje de la pieza única
Observación: La sola zona cristalina refiere al área sin la grieta y el polytype.

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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