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silicon carbide crystal 4h fabricación en línea

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cristal 4" del carburo de silicio de 100.0m m grado Politype 4H de P
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2022-10-09 10:12:00

0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm Cristal de carburo de silicio tipo N
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2022-09-27 17:01:16

Resistividad de cristal de carburo de silicio de grado P de 4" 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm
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2022-09-27 17:35:24

cristal 4" del carburo de silicio de 100.0m m grado 18.0m m de P
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2022-09-27 17:01:26

Cristal plano primario 4" del carburo de silicio de la longitud 32.5m m grado 100.0m m de P
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2022-09-27 17:01:05

6 pulgadas 4H SiC Sustrato N Tipo P SBD Grado 350 μm
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2022-10-24 10:23:04

N Tipo 6 pulgadas 4H Sustrato de carburo de silicio Longitud plana primaria 47,5 mm
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2022-10-24 10:22:34

4H Politype solo Crystal Silicon Carbide 4" cara del Si del grado de P
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2022-09-27 17:01:35

nivel P del sustrato de carburo de silicio de 260 μm para dispositivos de potencia y dispositivos de microondas
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2023-02-17 17:14:50

Tipo 6inch 4H del SI del nivel P sic semi que aísla el substrato 150m m
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2022-10-24 10:21:46

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal