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N Tipo 6 pulgadas 4H Sustrato de carburo de silicio Longitud plana primaria 47,5 mm

Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
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N Tipo 6 pulgadas 4H Sustrato de carburo de silicio Longitud plana primaria 47,5 mm

N Tipo 6 pulgadas 4H Sustrato de carburo de silicio Longitud plana primaria 47,5 mm
N Tipo 6 pulgadas 4H Sustrato de carburo de silicio Longitud plana primaria 47,5 mm

Ampliación de imagen :  N Tipo 6 pulgadas 4H Sustrato de carburo de silicio Longitud plana primaria 47,5 mm

Datos del producto:
Lugar de origen: Suzhou China
Nombre de la marca: GaNova
Certificación: UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo: JDCD03-002-009
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 25 piezas o en contened
Tiempo de entrega: 3-4 días de la semana
Condiciones de pago: T/T

N Tipo 6 pulgadas 4H Sustrato de carburo de silicio Longitud plana primaria 47,5 mm

descripción
Nombre de producto: Oblea sic epitaxial Crystal Form: 4h
Diámetro: 150,0 mm+0,0/-0,2 mm Orientación superficial: {0001}±0,2°
Orientación de la muesca: <1-100>±1° Ángulo de la muesca: el 90° +5°/-1°
Resaltar:

Sustrato de carburo de silicio tipo N

,

sustrato SiC de 6 pulgadas

,

sustrato de carburo de silicio de grado D 47

Sustrato 4H-SiC de 6 pulgadas Tipo N Grado D 350,0±25,0 μm MPD≤5/cm2 Resistividad 0,014 Ω•cm—0,028 Ω•cm para dispositivos de potencia y microondas

 

 

Descripción general
El carburo de silicio (SiC) es un sólido de red covalente.Si observamos su estructura, encontraremos que los átomos de silicio están unidos con átomos de carbono con la ayuda de un enlace covalente de forma tetraédrica.


Ofrecemos una solución completa de material SiC con especificaciones flexibles.

Epicapas gruesas Con o sin tampón
Estructuras multicapa Varios niveles de dopaje, incluidas las uniones pn
En proceso epitaxia Estructuras incrustadas y enterradas, capas de contacto

 

 

Propiedad Grado P-MOS Grado P-SBD Grado D
forma de cristal 4H
politipo Ninguno permitido Área≤5%
(MPD)a ≤0.2 /cm2 ≤0.5 /cm2 ≤5 /cm2
Placas hexagonales Ninguno permitido Área≤5%
Policristal Hexagonal Ninguno permitido
Inclusionesa Área≤0.05% Área≤0.05% N / A
Resistividad 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm 0,014 Ω•cm—0,028 Ω•cm
(EPD)a ≤4000/cm2 ≤8000/cm32 N / A
(TED)a ≤3000/cm32 ≤6000/cm32 N / A
(DBP)a ≤1000/cm2 ≤2000/cm2 N / A
(TSD)a ≤600/cm2 ≤1000/cm2 N / A
Error de apilamiento ≤0.5% Área ≤1% Área N / A

 

Contaminación de superficies metálicas

 

(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2

Diámetro 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm
Orientación de la superficie Fuera del eje: 4 ° hacia <11-20> ± 0,5 °
Longitud plana primaria 47,5 mm ± 1,5 mm
Longitud plana secundaria Sin Piso Secundario
Orientación plana primaria Paralelo a<11-20>±1°
Orientación plana secundaria N / A
Desorientación ortogonal ±5,0°
Acabado de la superficie Cara C: Pulido óptico, Cara Si: CMP
borde de la oblea biselado

Rugosidad de la superficie

(10 μm × 10 μm)

Cara Si Ra≤0,20 nm ; Cara C Ra≤0,50 nm
Espesora 350,0 μm± 25,0 μm
LTV (10 mm × 10 mm)a ≤2 μm ≤3 μm
(TTV)a ≤6 μm ≤10 μm
(ARCO)a ≤15 μm ≤25 μm ≤40 μm
(Deformación)a ≤25 μm ≤40 μm ≤60 μm
Fichas/Sangrías Ninguno permitido ≥0,5 mm de ancho y profundidad Cant.2 ≤1,0 mm de ancho y profundidad

Arañazosa

(Si cara, CS8520)

≤5 y longitud acumulada≤0,5×diámetro de la oblea

≤5 y longitud acumulada≤1,5 × oblea

Diámetro

TUA (2 mm * 2 mm) ≥98% ≥95% N / A
Grietas Ninguno permitido
Contaminación Ninguno permitido
Propiedad Grado P-MOS Grado P-SBD Grado D
Exclusión de borde 3 mm

Observación: se utiliza una exclusión de borde de 3 mm para los elementos marcados cona.

 

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

 

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de la cantidad.
P: ¿Proporcionan muestras?¿Es gratis o extra?
Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
P: ¿Cuáles son sus condiciones de pago?
Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

Contacto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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