Solicitar una cotización |
Inicio Productossilicon carbide crystal 4h fabricante en línea
Todos los productos

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Oblea sic epitaxial

(39)

Oblea Epi GaAs

(15)

Sustratos de diamante CVD

(15)

Sistema de recocido térmico rápido

(2)

Probador de sensores de efecto Hall

(3)

Oblea del nitruro de aluminio

(21)

Microprocesador del diodo láser

(10)

Cristal del carburo de silicio

(12)

Oblea Ga2O3

(13)

oblea de silicio

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Sapphire Substrates modelada

(10)

Tenedor de la oblea del

(1)

Cortadora de obleas

(5)
Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
Estoy en línea para chatear ahora

silicon carbide crystal 4h fabricación en línea

(28)
comprar oblea sic epitaxial 6inch en línea fabricante

oblea sic epitaxial 6inch
Contacto

Leer más
2022-10-09 16:56:20
comprar 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal en línea fabricante

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal
Contacto

Leer más
2022-10-24 10:20:57
comprar 47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros en línea fabricante

47,5 milímetros de ± oblea sic epitaxial 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° paralelo de 1,5 milímetros
Contacto

Leer más
2024-10-29 11:49:58
comprar Politipo Ninguno permitido SiC Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD Grado D en línea fabricante

Politipo Ninguno permitido SiC Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD Grado D
Contacto

Leer más
2024-10-29 11:49:58
comprar 0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del cm en línea fabricante

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del cm
Contacto

Leer más
2024-10-29 11:49:58
comprar Sustrato SiC de 2 pulgadas de 350 μm para electrónica de potencia exigente en línea fabricante

Sustrato SiC de 2 pulgadas de 350 μm para electrónica de potencia exigente
Contacto

Leer más
2024-10-29 11:49:58
comprar Sic tipo substrato de N en línea fabricante

Sic tipo substrato de N
Contacto

Leer más
2022-10-09 16:57:15
comprar Nivel P los 260μm de la oblea de semiconductor de 2 pulgadas para los dispositivos de la microonda de los dispositivos de poder en línea fabricante

Nivel P los 260μm de la oblea de semiconductor de 2 pulgadas para los dispositivos de la microonda de los dispositivos de poder
Contacto

Leer más
2022-10-24 10:25:55
Page 3 of 3|< 1 2 3 >|
Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

DEJA UN MENSAJE

Política de privacidad | CHINA Bueno Calidad GaN Epitaxial Wafer Proveedor. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.