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Datos del producto:
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| Nombre de producto: | Oblea sic epitaxial | Longitud plana primaria: | ± 1.5m m de 47.5m m |
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| Diámetro: | 150.0m m +0mm/-0.2mm | Crystal Form: | 4h |
| Polytype: | Ningunos permitieron | Orientación superficial: | De fuera del eje: ° de 4°toward <11-20>±0.5 |
| Resaltar: | Oblea epitaxial de SiC P-MOS,oblea epi de silicio de grado D,oblea epitaxial de SiC P-SBD |
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JDCD03-001-004 Sic Epitaxial Wafer P-MOS P-SBD Grado D Politipo Ninguno Permitido
JDCD03-001-004
Descripción general
Una oblea de SiC es un material semiconductor que tiene excelentes propiedades eléctricas y térmicas.Es un semiconductor de alto rendimiento que es ideal para una amplia variedad de aplicaciones.Además de su alta resistencia térmica, también presenta un nivel de dureza muy alto.
En comparación con otros semiconductores, una oblea de carburo de silicio es ideal para una amplia gama de aplicaciones de potencia y voltaje.Esto significa que es adecuado para una variedad de dispositivos eléctricos y ópticos.
| Propiedad | Grado P-MOS | Grado P-SBD | Grado D |
| forma de cristal | 4H | ||
| politipo | Ninguno permitido | Área≤5% | |
| (MPD)a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 |
| Placas hexagonales | Ninguno permitido | Área≤5% | |
| Policristal Hexagonal | Ninguno permitido | ||
| Inclusionesa | Área≤0.05% | Área≤0.05% | N / A |
| Resistividad | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,014 Ω•cm—0,028 Ω•cm |
| (EPD)a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm32 | N / A |
| (TED)a | ≤3000/cm32 | ≤6000/cm32 | N / A |
| (DBP)a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N / A |
| (TSD)a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N / A |
| Error de apilamiento | ≤0.5% Área | ≤1% Área | N / A |
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Contaminación de superficies metálicas |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2 |
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| Diámetro | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm | ||
| Orientación de la superficie | Fuera del eje: 4 ° hacia <11-20> ± 0,5 ° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| Longitud plana secundaria | Sin Piso Secundario | ||
| Orientación plana primaria | Paralelo a<11-20>±1° | ||
| Orientación plana secundaria | N / A | ||
| Desorientación ortogonal | ±5,0° | ||
| Acabado de la superficie | Cara C: Pulido óptico, Cara Si: CMP | ||
| borde de la oblea | biselado | ||
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Rugosidad de la superficie (10 μm × 10 μm) |
Cara Si Ra≤0,20 nm ； Cara C Ra≤0,50 nm | ||
| Espesora | 350,0 μm± 25,0 μm | ||
| LTV (10 mm × 10 mm)a | ≤2 μm | ≤3 μm | |
| (TTV)a | ≤6 μm | ≤10 μm | |
| (ARCO)a | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤40 μm |
| (Deformación)a | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤60 μm |
| Fichas/Sangrías | Ninguno permitido ≥0,5 mm de ancho y profundidad | Cant.2 ≤1,0 mm de ancho y profundidad | |
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Arañazosa (Si cara, CS8520) |
≤5 y longitud acumulada≤0,5×diámetro de la oblea |
≤5 y longitud acumulada≤1,5 × oblea Diámetro |
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| TUA (2 mm * 2 mm) | ≥98% | ≥95% | N / A |
| Grietas | Ninguno permitido | ||
| Contaminación | Ninguno permitido | ||
| Propiedad | Grado P-MOS | Grado P-SBD | Grado D |
| Exclusión de borde | 3 mm | ||
Observación: se utiliza una exclusión de borde de 3 mm para los elementos marcados cona.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
Preguntas más frecuentes
P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
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Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
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Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
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