Resistividad de cristal de carburo de silicio de grado P de 4" 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm

Resistividad de cristal semilla de SiC de grado P de 4" 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm

Cristal semilla SiC 4" PCalificación

SiC es un excelente conductor térmico.El calor fluirá más fácilmente a través de SiC que otros materiales semiconductores.De hecho, a temperatura ambiente, el SiC tiene una conductividad térmica superior a la de cualquier metal.Esta propiedad permite que los dispositivos de SiC funcionen a niveles de potencia extremadamente altos y aún así disipen las grandes cantidades de exceso de calor generado.

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
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Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
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Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
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