Solicitar una cotización |
Inicio Productosn type sic crystal fabricante en línea
Todos los productos

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Oblea sic epitaxial

(39)

Oblea Epi GaAs

(15)

Sustratos de diamante CVD

(15)

Sistema de recocido térmico rápido

(2)

Probador de sensores de efecto Hall

(3)

Oblea del nitruro de aluminio

(21)

Microprocesador del diodo láser

(10)

Cristal del carburo de silicio

(12)

Oblea Ga2O3

(13)

oblea de silicio

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Sapphire Substrates modelada

(10)

Tenedor de la oblea del

(1)

Cortadora de obleas

(5)
Certificación
CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones
Estoy en línea para chatear ahora

n type sic crystal fabricación en línea

(26)
comprar 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm Cristal de carburo de silicio tipo N en línea fabricante

0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm Cristal de carburo de silicio tipo N
Contacto

Leer más
2022-09-27 17:01:16
comprar Sic tipo substrato de N en línea fabricante

Sic tipo substrato de N
Contacto

Leer más
2022-10-09 16:57:15
comprar oblea sic epitaxial 6inch en línea fabricante

oblea sic epitaxial 6inch
Contacto

Leer más
2022-10-09 16:56:20
comprar Sustrato tipo N SiC 4H de 6 pulgadas, 47,5 mm, sin plano secundario en línea fabricante

Sustrato tipo N SiC 4H de 6 pulgadas, 47,5 mm, sin plano secundario
Contacto

Leer más
2022-10-24 10:26:17
comprar 6 pulgadas 4H SiC Sustrato N Tipo P SBD Grado 350 μm en línea fabricante

6 pulgadas 4H SiC Sustrato N Tipo P SBD Grado 350 μm
Contacto

Leer más
2022-10-24 10:23:04
comprar 6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um en línea fabricante

6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um
Contacto

Leer más
2022-10-24 10:21:10
comprar N Tipo 6 pulgadas 4H Sustrato de carburo de silicio Longitud plana primaria 47,5 mm en línea fabricante

N Tipo 6 pulgadas 4H Sustrato de carburo de silicio Longitud plana primaria 47,5 mm
Contacto

Leer más
2022-10-24 10:22:34
comprar Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P Tipo N 350,0±25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Resistividad 0,015 Ω•Cm—0,025 Ω•Cm en línea fabricante

Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P Tipo N 350,0±25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Resistividad 0,015 Ω•Cm—0,025 Ω•Cm
Contacto

Leer más
2025-04-04 22:43:25
comprar Sustrato 350um 4H SiC en línea fabricante

Sustrato 350um 4H SiC
Contacto

Leer más
2022-10-09 16:57:57
comprar 4H Politype solo Crystal Silicon Carbide 4" cara del Si del grado de P en línea fabricante

4H Politype solo Crystal Silicon Carbide 4" cara del Si del grado de P
Contacto

Leer más
2022-09-27 17:01:35
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

DEJA UN MENSAJE

Política de privacidad | CHINA Bueno Calidad GaN Epitaxial Wafer Proveedor. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.