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2022-09-27 17:01:16
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2022-10-09 16:56:20
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2024-10-29 11:49:58
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2025-04-04 22:43:20
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Resistividad de cristal de carburo de silicio de grado P de 4" 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm
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2022-09-27 17:35:24
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2025-04-04 22:43:25
comprar cristal 4&quot; del carburo de silicio de 100.0m m grado 18.0m m de P en línea fabricante

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2022-09-27 17:01:26
comprar JDZJ01-001-004 SiC Lingote Cristal 6&quot; Grado P en línea fabricante

JDZJ01-001-004 SiC Lingote Cristal 6" Grado P
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2025-04-04 22:42:33
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Cristal plano primario 4" del carburo de silicio de la longitud 32.5m m grado 100.0m m de P
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2022-09-27 17:01:05
comprar Sustrato tipo N SiC 4H de 6 pulgadas, 47,5 mm, sin plano secundario en línea fabricante

Sustrato tipo N SiC 4H de 6 pulgadas, 47,5 mm, sin plano secundario
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2022-10-24 10:26:17
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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