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n type sic crystal fabricación en línea

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0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm Cristal de carburo de silicio tipo N
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2022-09-27 17:01:16

oblea sic epitaxial 6inch
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2022-10-09 16:56:20

Sustrato tipo N SiC 4H de 6 pulgadas, 47,5 mm, sin plano secundario
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2022-10-24 10:26:17

6 pulgadas 4H SiC Sustrato N Tipo P SBD Grado 350 μm
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2022-10-24 10:23:04

Sic tipo substrato de N
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2022-10-09 16:57:15

6 pulgadas Tipo N Oblea P MOS Grado 4H SiC Sustrato 350.0 ± 25.0um
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2022-10-24 10:21:10

N Tipo 6 pulgadas 4H Sustrato de carburo de silicio Longitud plana primaria 47,5 mm
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2022-10-24 10:22:34

Sustrato 350um 4H SiC
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2022-10-09 16:57:57

4H Politype solo Crystal Silicon Carbide 4" cara del Si del grado de P
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2022-09-27 17:01:35

Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P Tipo N 350,0±25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Resistividad 0,015 Ω•Cm—0,025 Ω•Cm
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2022-10-24 10:38:02

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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal