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Datos del producto:
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| Nombre de producto: | Oblea sic epitaxial | Crystal Form: | 4h |
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| Diámetro: | 100,0 mm+0,0/-0,5 mm | Orientación superficial: | Dirección cristalina parcial: ± 0.5° del prejuicio 4°<11-20> |
| Longitud del borde de referencia principal: | 32,5 mm ± 2,0 mm | Longitud del borde de referencia secundario: | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Resaltar: | Substrato de SiC de 4 pulgadas |
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Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel D Tipo N 350,0±25,0 μm MPD≤5/cm2 Resistividad 0,015 Ω•cm—0,025 Ω•cm para dispositivos de potencia y microondas
Descripción general
Dispositivos de alta temperatura
Debido a que el SiC tiene una alta conductividad térmica, el SiC disipa el calor más rápidamente que otros materiales semiconductores.Esto permite que los dispositivos de SiC funcionen a niveles de potencia extremadamente altos y aún así disipar las grandes cantidades de exceso de calor generado por los dispositivos.
Dispositivos de potencia de alta frecuencia
La electrónica de microondas basada en SiC se utiliza para comunicaciones inalámbricas y radares.
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Sustrato tipo N 4H-SiC de 4 pulgadas |
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| Rendimiento del producto | nivel P | nivel D | |
| forma de cristal | 4H | ||
| politípico | No permitido | Área≤5% | |
| Densidad de microtubosa | ≤0,5/cm2 | ≤5/cm2 | |
| Seis cuadrados vacíos | No permitido | Área≤5% | |
| Cristal híbrido de superficie hexagonal | No permitido | ||
| envoltorioa | Área≤0.05% | N / A | |
| Resistividad | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm |
0,014 Ω•cm—0,028 Ω•cm
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| falla | ≤0.5% | N / A | |
| Diámetro | 100,0 mm+0,0/-0,5 mm | ||
| Orientación de la superficie | Dirección parcial del cristal: 4°<11-20> bias ± 0,5° | ||
| Longitud del borde de referencia principal |
32,5 mm ± 2,0 mm
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| Longitud del borde de referencia secundario | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||
| Orientación del plano de referencia principal | paralelo<11-20> ± 5,0˚ | ||
| Orientación del plano de referencia secundario | 90 ° en el sentido de las agujas del reloj con respecto al plano de referencia principal ˚ ± 5,0 ˚, Si boca arriba | ||
| Desviación de orientación ortogonal |
±5,0°
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| Preparación de la superficie | Cara C: Pulido de espejo, Cara Si: Pulido mecánico químico (CMP) | ||
| El borde de la oblea | ángulo de chaflán | ||
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Rugosidad de la superficie (5 μm × 5 μm)
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Si cara Ra<0.2 nm, Lado C, Ra 0.50 nm
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| espesor |
350,0 μm± 25,0 μm
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| LTV (10 mm × 10 mm)a |
≤3 µm
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≤5 µm
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| TTVa |
≤6 µm
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≤10 µm
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| Arcoa |
≤15 µm
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≤30 µm
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| Deformacióna |
≤25 µm
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≤45 µm
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| Borde roto/hueco | No se permiten bordes colapsados de una longitud y una anchura de 0,5 mm. | ≤2 y cada largo y ancho de 1,0 mm | |
| rascara | ≤ 5, y la longitud total es ≤ 0,5 veces el diámetro | ≤5, y la longitud total es 1,5 veces el diámetro | |
| Área disponible |
≥95%
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N / A
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| defecto | no permitido | ||
| contaminación | no permitido | ||
| Eliminación de bordes |
3 mm |
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Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
Preguntas más frecuentes
P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
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Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de la cantidad.
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Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
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