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4H Politype solo Crystal Silicon Carbide 4" cara del Si del grado de P
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2022-09-27 17:01:35
comprar Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF en línea fabricante

Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF
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2025-04-04 22:43:44
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2024-10-14 17:06:30
comprar Tipo 6inch 4H del SI del nivel P sic semi que aísla el substrato 150m m en línea fabricante

Tipo 6inch 4H del SI del nivel P sic semi que aísla el substrato 150m m
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2022-10-24 10:21:46
comprar Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate en línea fabricante

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48
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Sustrato de nitruro de galio SP Face 5 X 10 mm2 350um
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2022-10-08 16:41:01
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Sobre

GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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