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Datos del producto:
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| Dimensiones: | 50,8 ± 1m m | Grueso: | 350 ± los 25μm |
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| Plano de la orientación: | ± 0.5˚, 16 ± 1m m (de 1-100) | Plano secundario de la orientación: | ± 3˚, 8 ± 1m m (de 11-20) |
| TTV: | ≤ el 15μm | Arco: | ≤ los 40μm del ≤ los 20μm |
| Resaltar: | Substrato de cristal único de 2 pulgadas GaN,Resistencia GaN Substrato de cristal único |
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Sustrato monocristalino de GaN autónomo de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 106Dispositivos RF de Ω·cm
Descripción general
Obleas epitaxiales (epi-wafers) de nitruro de galio (GaN).Obleas de transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de GaN en diferentes sustratos, como sustrato de silicio, sustrato de zafiro, sustrato de carburo de silicio (SiC).Ofrecemos GaN en obleas de SiC para aplicaciones de potencia y RF.
| Sustratos independientes de U-GaN/SI-GaN de 2 pulgadas | |||||||
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Excelente nivel (S) |
Nivel de producción (B) |
Investigación nivel (B) |
Ficticio nivel (C) |
Nota: (1) Área utilizable: exclusión de defectos de borde y macro (2) 3 puntos: los ángulos de corte incorrecto de las posiciones (2, 4, 5) son 0,35 ± 0,15o |
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| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | ||||
| Dimensiones | 50,8 ± 1 mm | ||||||
| Espesor | 350 ± 25 micras | ||||||
| Orientación plana | (1-100) ± 0,5o, 16 ± 1 mm | ||||||
| Piso orientación secundaria | (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm | ||||||
| Resistividad (300K) |
< 0,5 Ω·cm para tipo N (sin dopar; GaN-FS-CU-C50) o > 1 x 106Ω·cm para semiaislante (dopado con Fe; GaN-FS-C-SI-C50) |
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| TTV | ≤ 15 micras | ||||||
| ARCO | ≤ 20 μm ≤ 40 μm | ||||||
| Rugosidad de la superficie de la cara Ga |
< 0,2 nm (pulido) o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia) |
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| N rugosidad de la superficie de la cara |
0,5 ~ 1,5 micras opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido) |
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| Paquete | Empaquetado en una sala limpia en un solo contenedor de obleas | ||||||
| Área utilizable | > 90% | >80% | >70% | ||||
| Densidad de dislocación | <9.9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <9.9x105cm-2 | <3x106cm-2 | <3x106cm-2 | ||
| Orientación: plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M |
0,35 ± 0,15o (3 puntos) |
0,35 ± 0,15o (3 puntos) |
0,35 ± 0,15o (3 puntos) |
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| Densidad de macrodefecto (agujero) | 0cm-2 | <0,3 cm-2 | < 1cm-2 | ||||
| Tamaño máximo de macrodefectos | < 700 micras | < 2000 micras | < 4000 micras | ||||
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
Preguntas más frecuentes
P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de la cantidad.
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Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
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